સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો $100\ V$ સુધી વિદ્યુતભારીત કરેલ છે. હવે $2\ mm$ જાડાઇની પ્લેટને બે પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે તથા સમાન વિદ્યુત સ્થીતીમાન જાળવી રાખવા માટે કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6\, mm $ વધારવામાં આવે તો પ્લેટનો ડાઇ ઇલેકટ્રીક અચળાંક....

$C$ કેપેસિટન્સવાળા હવાના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $ V. emf $ વાળી બેટરી સાથે જોડીને પછી છૂટું પાડવામાં આવે છે.$K $  ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ડાઇઇલેકિટ્રક સ્લેબને સંપૂર્ણ રીતે કેપેસિટરમાં ભરવામાં આવે છે.તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

કેપેસીટરને બેટરી દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કરીને ડાઈઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરતાં ..... 

એક ગોળાકાર કેપેસીટરના અંદરના ગોળાની ત્રિજ્યા $12\, cm$ અને બહારના ગોળાની ત્રિજ્યા $13 \,cm$ છે. બહારના ગોળાનું અર્થિંગ $(Earthing)$ કરી દીધેલું છે અને અંદરના ગોળા પર $2.5\; \mu C $ વિદ્યુતભાર આપેલ છે. બે સમકેન્દ્રિય ગોળાઓ વચ્ચેના અવકાશને ડાયઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $32$ ધરાવતા પ્રવાહી વડે ભરી દીધેલ છે.

$(a)$ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ શોધો.

$(b)$ અંદરના ગોળાનું સ્થિતિમાન કેટલું હશે?

$(c)$ આ કેપેસીટરના કેપેસીટન્સને $12 \,cm$ ત્રિજ્યાના અલગ કરેલા ગોળાના કેપેસીટન્સ સાથે સરખાવો. અલગ ગોળા માટેનું મૂલ્ય ખૂબ નાનું કેમ છે તે સમજાવો.

બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $\frac{3}{4} d$ જાડાઈ અને $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે તો નવો કેપેસીટન્સ $(C')$ અને જૂના કેપેસીટન્સ $\left( C _{0}\right)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું થશે?

ડાઇઇલેક્ટ્રિકના પ્રકારો લખીને સમજાવો અને દરેકના ઉદાહરણ આપો.