એક સમાંતર પ્લેટ્સ કેપેસિટરને $5$ ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિકના ઉપયોગથી એ રીતે ડિઝાઈન કરવાનો છે કે તેની ડાયઈલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $10^9 \;Vm ^{-1}$ થાય. જો કેપેસિટરનો વોલ્ટેજ રેટિંગ $12 \;kV$ હોય, તો $80 \;pF$ કેપાસિટન્સ હોય તેવા કેપેસિટરની દરેક પ્લેટ્નું લધુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જોઈએ?
$10.5 \times 10^{-6} \;m ^2$
$25.0 \times 10^{-5}\; m ^2$
$12.5 \times 10^{-5}\; m ^2$
$21.7 \times 10^{-6} \;m ^2$
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $K$ છે. કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C$ છે અને તેને $V$ વોલ્ટેજ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચેથી ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્ય ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને પછી ફરીથી ભરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન તંત્ર દ્વારા થતું પરિણામી કાર્ય કેટલું હશે?
આકૃતિમાં $A$ દર્શાવ્યા મુજબ એક કેપેસીટર ડાઈઈલેક્ટ્રીક ($K=2$) વડે અડધો ભરાયેલ છે. જો આકૃતિનાં બીજા ભાગ $B$ પ્રમાણે તે અડધો ભરાયેલ હોય તો ડાઈઈલેક્ટ્રીકની એવી જાડાઈ શોધો કે જેનાથી કેપેસીટરની ક્ષમતા એટલી જ રહે?
ધ્રુવીય અને અઘુવીય અણુઓ કોને કહે છે ? તેમના ઉદાહરણ આપો.
જયારે કેપેસિટરનું ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $K = 3$ થી ભરતાં વિદ્યુતભાર ${Q_0}$,વોલ્ટેજ ${V_0}$ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર ${E_0}$ છે.હવે કેપેસિટરને ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $K = 9$ થી ભરતાં વિદ્યુતભાર,વોલ્ટેજ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર અનુક્રમે કેટલા થાય?
$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતાં કેપેસિટરની બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર બમણું કરીને ડાઇઇલેકિટ્રક ભરતાં,નવો કેપેસિટન્સ $2C$ થાય,તો ડાઇઇલેકિટ્રક નો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક કેટલો હશે?