હાઇડ્રોજન $\left( {{{\rm{H}}_2}} \right)$ અણુની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના, બંધક્રમાંક અને ચુંબકીય ગુણો વિશે લખો.
ઈલેક્ટ્રોનીય રચના : $H _{2}$ અણુ બે $H (1 s)$ માંથી બને છે, જેથી $H _{2}$ અણુમાં કુલ ઈલેક્ટ્રોન સંખ્યા $= 2$ $H _{2}$ અણુમાં $BMO$ $\sigma_{1 s}$ તથા $\sigma_{1 s}^{*}$ હોય છે.
$\therefore H _{2}$ અણુની ઈલેક્ટ્રોનીય રચના : $\left(\sigma_{1 s}\right)^{2}\left(\sigma_{1 s}^{*}\right)^{0}$
બંધક્રમાંક : $H _{2}$ અણુની BMO $\sigma(1 s)$ માં $2$ ઇલેક્ટ્રોન અને $ABMO$ $\left(\sigma_{1 s}^{*}\right)$ માં શૂન્ય ઇલેક્ટ્રોન છે.
$\therefore$ બંધક્રમાંક $=\frac{ N _{ b }- N _{ a }}{2}=\frac{(2-0)}{2}=1$
બે $H$ એકલ બંધથી જોડાયેલા છે.
ચુંબકીય ગુણ : $H _{2}$ અણુમાં એકપણ અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન નથી અને ફક્ત ઇલેક્ટ્રોનયુગ્મ છે. $\therefore H _{2}$ અણુ પ્રતિચુંબકીય છે.
જો કે $CN^-$ અને $N_2$ સમઇલેક્ટ્રોનીય છે, છતા $N_2$ અણુ... ને લીધે રાસાયણિક રીતે નિષ્ક્રિય છે.
સૂચિ $I$ સાથે સૂચિ $II$ ને જોડો.
સૂચિ $I$ (અણુ / સ્પીસીઝ) |
સૂચિ $I$(ગુણધર્મ / આકાર) |
$A$ $\mathrm{SO}_2 \mathrm{Cl}_2$ | $I$ અનુયુંબકીય |
$B$ $NO$ | $II$ પ્રતિચુંબકીય |
$C$ $\mathrm{NO}_2^{-}$ | $III$ સમચતુષ્ફલકીય |
$D$ $\mathrm{I}_3^{-}$ | $IV$ રેખીય |
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો
${{\rm{O}}_2}{\rm{,O}}_2^ + ,{\rm{O}}_2^ - $ અને ${\rm{O}}_2^{2 - }$ ની બંધ વિયોજન ઉષ્માનો ક્રમ આપો.
આણ્વીય કક્ષક સિદ્ધાંતનો ઉપયોગ કરીને ${\rm{O}}_2^ + $ અને ${\rm{O}}_2^{2 - }$ સ્પિસીઝની બંધશક્તિ અને ચુંબકીય ગુણધર્મોની સરખામણી કરો.
એક દ્રિપરમાણ્વિક આણુની $2 s$ અને $2 p$ પરમાણ્વિય કક્ષકો માંથી બનતી આગ્વીય કક્ષકોની કુલ સંખ્યા___________ છે.