પ્લેટોની વચ્ચે $K$ ડાય-ઈલેકટ્રીક અચળાંક ધરાવતા ડાય ઈલેકટ્રીક સાથે એક સમાંતર પ્લેટ સંગ્રાહકની કેપેસિટી $C$ અને $A$ ને $V$ વોલ્ટ સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરેલ છે. પ્લેટો વચ્ચે ડાઈ ઈલેકટ્રીન સ્લેબને ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ફરી દાખલ કરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા તંત્ર દ્વારા થતું ચોખ્ખું કાર્ય.....

આપેલ તંત્રની કુલ ઊર્જા કેટલા........$joules$ થાય?

બે સમાન અને $50 \,pF$ સંઘારકતા ધરાવતા સંઘારકમાંથી કોઈ એકને $100 \,V$ ના ઉદગમ વડે વીજભારિત કરવામાં આવે છે. તેને પછી બીજા અવિદ્યુતભારિત સંધારક સાથે જોડવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયામાં સ્થિતવિદ્યુત ઉર્જાનો વ્યય .............$nJ$ થશે.

$100\, micro-farad$  કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરની પ્લેટ પર $8 \times {10^{ - 18}}\, C$ વિદ્યુતભાર મૂકવા માટે કેટલું કાર્ય કરવું પડે? 

કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડી રાખીને તેની પ્લેટો વચ્ચે ડાઈ ઈલેકટ્રીક સ્તર મૂકવામાં આવે ત્યારે આ પ્રક્રિયામાં ........

નીચે દોરેલ વિદ્યુત પરિપથમાં સંઘારકમાં સંગ્રહિત વિદ્યુતભાર__________$\mu \mathrm{C}$હશે.