સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2\ mm$ છે તથા તેને $300\, V$ ની બેટર વડે જોડીને વિદ્યુતભારીત કરેલ છે તો ઊર્જા ઘનતા....$J/m^3$

કેપેસીટરની બે સમાંતર પ્લેટ વચ્ચે $'\alpha'$ કોણ રચાય તે પ્રમાણે $K _{1}$ ગતિ ઊર્જા ધરાવતો ઈલેક્ટ્રોન બંને પ્લેટની વચ્ચે પ્રવેશે છે. તે પ્લેટોને $K _{2}$ જેટલી ગતિ ઊર્જા સાથે $' \beta '$ કોણે છોડે છે. તો ગતિ ઊર્જાનો ગુણોત્તર $K _{1}: K _{2} ......$ થશે.

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરની સંગ્રહિત ઊર્જા અને વિદ્યુતભાર અનુક્રમે $W$ અને $Q$ છે. જો તેનો વિદ્યુતભાર $2Q$ જેટલો વધારવામાં આવે તો સંગ્રહ પામતી ઊર્જા કેટલી હશે ?

જો ત્રણ કેપેસિટરો હોય અને એક ઉદગમ કે જેનો $e.m.f.\, V$ હોય તો સંગ્રહિત ઊર્જા મહત્તમ થવા માટે ત્રણ કેપેસિટરોને ઉદગમની વચ્ચે કેવી રીતે જોડવા હોવા જોઈએ ?

$600\; pF$ નું એક કેપેસીટર $200\; V$ ના સપ્લાય વડે વિધુત્ભારિત કરવામાં આવે છે. પછી તેનું સપ્લાય સાથેનું જેડાણ દૂર કરવામાં આવે છે. અને બીજા વિધુતભારીત ણ હોય તેવા $600\; pF$ ના કેપેસીટર સાથે જોડવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયામાં ઉર્જા ગુમાવઈ હશે ?  

પ્લેટોની વચ્ચે $K$ ડાય-ઈલેકટ્રીક અચળાંક ધરાવતા ડાય ઈલેકટ્રીક સાથે એક સમાંતર પ્લેટ સંગ્રાહકની કેપેસિટી $C$ અને $A$ ને $V$ વોલ્ટ સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરેલ છે. પ્લેટો વચ્ચે ડાઈ ઈલેકટ્રીન સ્લેબને ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ફરી દાખલ કરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા તંત્ર દ્વારા થતું ચોખ્ખું કાર્ય.....