બે પ્લેટો વડે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર રચેલ છે. દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $100\ cm^2, \,1\ mm$ અંતરે અલગ કરેલી છે. એક $5.0$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંંક ધરાવતા ડાઈ ઈલેકટ્રીક અને ડાઈ ઈલેકટ્રીક સ્ટ્રેન્થ $1.9 \times 10^7\ V/m$ પ્લેટોની વચ્ચે ભરવામાં આવે છે. ડાઈ ઈલેકટ્રીક બ્રેક ડાઉન કર્યા સિવાય કેપેસિટર પર સંગ્રહ કરી શકાતો મહત્તમ વિદ્યુતભાર શોધો.
બે પ્લેટો વડે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર રચેલ છે. દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $100\ cm^2, \,1\ mm$ અંતરે અલગ કરેલી છે. એક $5.0$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંંક ધરાવતા ડાઈ ઈલેકટ્રીક અને ડાઈ ઈલેકટ્રીક સ્ટ્રેન્થ $1.9 \times 10^7\ V/m$ પ્લેટોની વચ્ચે ભરવામાં આવે છે. ડાઈ ઈલેકટ્રીક બ્રેક ડાઉન કર્યા સિવાય કેપેસિટર પર સંગ્રહ કરી શકાતો મહત્તમ વિદ્યુતભાર શોધો.
- A
$1.6 \times 10^6\ C$
- B
$5.9 \times 10^{-8}\ C$
- C
$3.4 \times 10^{-6}\ C$
- D
$8.4 \times 10^{-6}\ C$
Similar Questions
જયારે કેપેસિટરનું ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $3$ થી ભરતાં વિદ્યુતભાર $Q_0$,વોલ્ટેજ $V_0$ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર $E_0$ છે.હવે કેપેસિટરને ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $9$ થી ભરતાં વિદ્યુતભાર,વોલ્ટેજ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર અનુક્રમે કેટલા થાય?
જયારે કેપેસિટરનું ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $3$ થી ભરતાં વિદ્યુતભાર $Q_0$,વોલ્ટેજ $V_0$ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર $E_0$ છે.હવે કેપેસિટરને ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $9$ થી ભરતાં વિદ્યુતભાર,વોલ્ટેજ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર અનુક્રમે કેટલા થાય?
જ્યારે સમાંતર પ્લેટ વચ્યે $d$ જાડાઈનું હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $5\,\mu\,F$ છે. આ બંને પ્લેટ વચ્યે $1.5$ ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક અને પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું ક્ષેત્રફળ પણ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતો પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો સ્લેબની હાજરી કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થાય.
જ્યારે સમાંતર પ્લેટ વચ્યે $d$ જાડાઈનું હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $5\,\mu\,F$ છે. આ બંને પ્લેટ વચ્યે $1.5$ ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક અને પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું ક્ષેત્રફળ પણ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતો પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો સ્લેબની હાજરી કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થાય.
- [JEE MAIN 2023]
આઠ સમાન વિદ્યુતભારિત ટીપાઓ ભેગા થઈને એક મોટા ટીપાની રચના કરે છે. જો દરેક ટીપાનું સ્થિતિમાન $10\ V$ હોય તો મોટા ટીપાનું સ્થિતિમાન........$V$ જેટલું થશે ?
આઠ સમાન વિદ્યુતભારિત ટીપાઓ ભેગા થઈને એક મોટા ટીપાની રચના કરે છે. જો દરેક ટીપાનું સ્થિતિમાન $10\ V$ હોય તો મોટા ટીપાનું સ્થિતિમાન........$V$ જેટલું થશે ?
બે જુદા-જુદા ડાયઈલેક્ટ્રિક પદાર્થો અને જુદી-જુદી જડાઈ ( $t _1$ અને $\left.t _2\right)$ ના બનેલું એક સંયુક્ત સમાંતર પ્લેટ સંઘારક આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. બે જુદા-જુદા ડાયઈલેક્ટ્રિક પદાર્થોને એક સુવાહક પાતળા સ્તર $(foil)$ $F$ વડે છૂટા પાડેલા છે. સુવાહક $foil$ નો વોલ્ટેજ $............V$ હશે.
બે જુદા-જુદા ડાયઈલેક્ટ્રિક પદાર્થો અને જુદી-જુદી જડાઈ ( $t _1$ અને $\left.t _2\right)$ ના બનેલું એક સંયુક્ત સમાંતર પ્લેટ સંઘારક આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. બે જુદા-જુદા ડાયઈલેક્ટ્રિક પદાર્થોને એક સુવાહક પાતળા સ્તર $(foil)$ $F$ વડે છૂટા પાડેલા છે. સુવાહક $foil$ નો વોલ્ટેજ $............V$ હશે.
- [JEE MAIN 2022]
$l$ લંબાઈ અને $w$ જાડાઈ ધરાવતી પ્લેટમાંથી સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટર બનાવવામાં આવે છે. જેમાં બે પ્લેટને એકબીજાથી $d$ અંતરે રાખવામા આવે છે. એક $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો બ્લોક તેની વચ્ચે બરાબર ફિટ થાય તે રીતે પ્લેટની ધારની નજીક મૂકેલો છે. તેને કેપેસીટરની અંદર $F = -\frac{{\partial U}}{{\partial x}}$ જેટલા બળથી ખેચવામાં આવે છે, જ્યાં $U$ એ જ્યારે ડાઈઇલેક્ટ્રિક કેપેસીટરની અંદર $x$ અંતર જેટલો હોય ત્યારની કેપેસીટરની ઉર્જા છે. જો $Q$ એ કેપેસીટર પરનો વિજભાર હોય તો જ્યારે ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંકવાળો બ્લોક પ્લેટની ધારની નજીક હોય ત્યારે તેના પર કેટલું બળ લાગતું હશે?
$l$ લંબાઈ અને $w$ જાડાઈ ધરાવતી પ્લેટમાંથી સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટર બનાવવામાં આવે છે. જેમાં બે પ્લેટને એકબીજાથી $d$ અંતરે રાખવામા આવે છે. એક $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો બ્લોક તેની વચ્ચે બરાબર ફિટ થાય તે રીતે પ્લેટની ધારની નજીક મૂકેલો છે. તેને કેપેસીટરની અંદર $F = -\frac{{\partial U}}{{\partial x}}$ જેટલા બળથી ખેચવામાં આવે છે, જ્યાં $U$ એ જ્યારે ડાઈઇલેક્ટ્રિક કેપેસીટરની અંદર $x$ અંતર જેટલો હોય ત્યારની કેપેસીટરની ઉર્જા છે. જો $Q$ એ કેપેસીટર પરનો વિજભાર હોય તો જ્યારે ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંકવાળો બ્લોક પ્લેટની ધારની નજીક હોય ત્યારે તેના પર કેટલું બળ લાગતું હશે?
- [JEE MAIN 2014]