બે પ્લેટો વડે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર રચેલ છે. દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $100\ cm^2, \,1\ mm$ અંતરે અલગ કરેલી છે. એક $5.0$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંંક ધરાવતા ડાઈ ઈલેકટ્રીક અને ડાઈ ઈલેકટ્રીક સ્ટ્રેન્થ $1.9 \times 10^7\ V/m$ પ્લેટોની વચ્ચે ભરવામાં આવે છે. ડાઈ ઈલેકટ્રીક બ્રેક ડાઉન કર્યા સિવાય કેપેસિટર પર સંગ્રહ કરી શકાતો મહત્તમ વિદ્યુતભાર શોધો.
બે પ્લેટો વડે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર રચેલ છે. દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $100\ cm^2, \,1\ mm$ અંતરે અલગ કરેલી છે. એક $5.0$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંંક ધરાવતા ડાઈ ઈલેકટ્રીક અને ડાઈ ઈલેકટ્રીક સ્ટ્રેન્થ $1.9 \times 10^7\ V/m$ પ્લેટોની વચ્ચે ભરવામાં આવે છે. ડાઈ ઈલેકટ્રીક બ્રેક ડાઉન કર્યા સિવાય કેપેસિટર પર સંગ્રહ કરી શકાતો મહત્તમ વિદ્યુતભાર શોધો.
- A
$1.6 \times 10^6\ C$
- B
$5.9 \times 10^{-8}\ C$
- C
$3.4 \times 10^{-6}\ C$
- D
$8.4 \times 10^{-6}\ C$
Similar Questions
$A$ પ્લેટના ક્ષેત્રફળ તથા $d$ તકતી વચ્યેનું અલગીકરણ દર્શાવતા એક સમાંતર તકતી વાળા સંગ્રાહકમાં $K=4$ પરાવિદ્યુતાંક ધરાવતા પરાવિદ્યુત વસ્તુ ભરેલી છે. પરાવિદ્યુત વસ્તુની જાડાઈ $x$ છે, જ્યા $x < d$.
ધારો કે $C _1$ અને $C _2$ એ તંત્રની સંગ્રાહકતા $x=\frac{1}{3} d$ અને $x=\frac{2 d}{3}$ માટે અનુક્રમે છે. જો $C _1=2 \mu F$ તો $C _2$ કિમત $........\mu F$ છે.
$A$ પ્લેટના ક્ષેત્રફળ તથા $d$ તકતી વચ્યેનું અલગીકરણ દર્શાવતા એક સમાંતર તકતી વાળા સંગ્રાહકમાં $K=4$ પરાવિદ્યુતાંક ધરાવતા પરાવિદ્યુત વસ્તુ ભરેલી છે. પરાવિદ્યુત વસ્તુની જાડાઈ $x$ છે, જ્યા $x < d$.
ધારો કે $C _1$ અને $C _2$ એ તંત્રની સંગ્રાહકતા $x=\frac{1}{3} d$ અને $x=\frac{2 d}{3}$ માટે અનુક્રમે છે. જો $C _1=2 \mu F$ તો $C _2$ કિમત $........\mu F$ છે.
- [JEE MAIN 2023]
સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ નથી પરતું તેમની વચ્ચેનું અંતર $0.4 \,cm$ છે તેનું કેપેસીટન્સ $2\,\mu \,F$ છે. હવે બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ઘટાડીને અડધું અને તેમની વચ્ચે $2.8$ ડાઈઇલેક્ટ્રિકનું મૂલ્ય ધરાવતો પદાર્થ મૂકવામાં આવે તો તેનું નવું કેપેસીટન્સ કેટલા $\mu \,F$ મળે?
સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ નથી પરતું તેમની વચ્ચેનું અંતર $0.4 \,cm$ છે તેનું કેપેસીટન્સ $2\,\mu \,F$ છે. હવે બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ઘટાડીને અડધું અને તેમની વચ્ચે $2.8$ ડાઈઇલેક્ટ્રિકનું મૂલ્ય ધરાવતો પદાર્થ મૂકવામાં આવે તો તેનું નવું કેપેસીટન્સ કેટલા $\mu \,F$ મળે?
$C = 10\ \mu \,F$ કેપેસિટન્સ ઘરાવતો કેપેસિટરને $12\ V$ બેટરી સાથે જોડેલ છે.ડાયઇલેકટ્રીક અચળાંક $5$ ઘરાવતી ડાયઇલેકટ્રીકને વચ્ચે મૂકતા બેટરીમાંથી કેપેસિટર પર વઘારાનો કેટલા ......$\mu \,C$ વિધુતભાર જશે?
$C = 10\ \mu \,F$ કેપેસિટન્સ ઘરાવતો કેપેસિટરને $12\ V$ બેટરી સાથે જોડેલ છે.ડાયઇલેકટ્રીક અચળાંક $5$ ઘરાવતી ડાયઇલેકટ્રીકને વચ્ચે મૂકતા બેટરીમાંથી કેપેસિટર પર વઘારાનો કેટલા ......$\mu \,C$ વિધુતભાર જશે?
જ્યારે વિદ્યુતભારીત સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ના અવકાશમાં હવાને ડાઈ ઈલેક્ટ્રીક માધ્યમ વડે બદલવામાં આવે છે. ત્યારે વિદ્યુત ક્ષેત્રની તીવ્રતા.....
જ્યારે વિદ્યુતભારીત સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ના અવકાશમાં હવાને ડાઈ ઈલેક્ટ્રીક માધ્યમ વડે બદલવામાં આવે છે. ત્યારે વિદ્યુત ક્ષેત્રની તીવ્રતા.....
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે તેલ ભરવામાં આવે છે (તેલનો ડાઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 2$ છે) તેનું કેપેસીટન્સ $C$ છે. જો તેલ દૂર કરવામાં આવે છે, તો કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું થાય?
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે તેલ ભરવામાં આવે છે (તેલનો ડાઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 2$ છે) તેનું કેપેસીટન્સ $C$ છે. જો તેલ દૂર કરવામાં આવે છે, તો કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું થાય?
- [AIPMT 1999]