સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $A$ આડછેડનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટોને એકબીજાથી $d$ અંતરે મૂકેલી છે.તેમની વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $\mathrm{k}(\mathrm{x})=\mathrm{K}(1+\alpha \mathrm{x})$ મુજબ ફરે છે. જ્યાં $\mathrm{x}$ એ એક પ્લેટથી અંતર છે.જો $(\alpha \text {d)}<<1,$ હોય તો તંત્રનું કુલ કેપેસીટન્સ ક્યાં સૂત્ર વડે આપી શકાય?
$\frac{\mathrm{AK} \varepsilon_{0}}{\mathrm{d}}\left(1+\frac{\alpha \mathrm{d}}{2}\right)$
$\frac{\mathrm{A} \varepsilon_{0} \mathrm{K}}{\mathrm{d}}\left(1+\left(\frac{\alpha \mathrm{d}}{2}\right)^{2}\right)$
$\frac{\mathrm{A} \varepsilon_{0} \mathrm{K}}{\mathrm{d}}\left(1+\frac{\alpha^{2} \mathrm{d}^{2}}{2}\right) $
$ \frac{\mathrm{AK} \varepsilon_{0}}{\mathrm{d}}(1+\alpha \mathrm{d})$
જ્યારે સમાંતર પ્લેટ વચ્યે $d$ જાડાઈનું હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $5\,\mu\,F$ છે. આ બંને પ્લેટ વચ્યે $1.5$ ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક અને પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું ક્ષેત્રફળ પણ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતો પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો સ્લેબની હાજરી કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થાય.
$12\, cm$ અને $9\, cm$ ત્રિજયા ધરાવતી ગોળીય કવચ વચ્ચે $6$ ડાઇઇલેકિટ્રક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે.બહારની ગોળીય કવચ ગ્રાઉન્ડ કરેલ છે,તો તંત્રનો કેપેસિટન્સ કેટલો થાય?
પ્રત્યેક $N$ સૂક્ષ્મ ટીપાંની ત્રિજ્યા $r$ છે. જેને $V$ સ્થિતિમાનથી વિદ્યુતભારીત કરેલ છે. હવે ટીપાંઓ ભેગા મળીને મોટું ટીપું બનાવે છે. તો મોટા ટીપાંનો વિદ્યુતભાર શોધો.
એક કેપેસિટર પાસે બે વર્તૂળાકાર પ્લેટો છે. જેઓની ત્રિજ્યા $8\ cm$ અને તેની વચ્ચેનું અંતર $1\, mm$ છે. જ્યારે આ પ્લેટોની વચ્ચે મિશ્ર ચોસલુ (ડાઈઈલેકટ્રીક અચળાંક =$ 6$) મુકવામાં આવે ત્યારે આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સની ગણતરી કરો.
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.05\, m$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3 \times 10^4\,V/m$ મુલ્યનું વિ. ક્ષેત્ર સ્થાપિત કરવામાં આવે છે. તેને બેટરીથી દૂર કરી અને એક $0.01 \,m$ જાડાઈની ધાતુની અવિદ્યુતભારિત પ્લેટને (કેપેસિટર) દાખલ કરવામાં આવે છે. તો જો ધાતુની પ્લેટને બદલે $K = 2$ ડાઈ-ઈલેકટ્રીક અચળાંકની પ્લેટને મુકવામાં આવે તો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા.....$kV$ હશે ?