બાહ્ય વિધુતક્ષેત્રમાં સુવાહક અને ડાઇઇલેક્ટ્રિકની વર્તણૂકનો તફાવત સમજાવો.
બાહ્ય વિધુતક્ષેત્રમાં સુવાહક અને ડાઇઇલેક્ટ્રિકની વર્તણૂકનો તફાવત સમજાવો.
સુવાહકમાં વિદ્યુતભાર વાહકો હોય છે.
સુવાહકોને બાહ્ય વિદ્યુતક્ષેત્રમાં મૂકતાં તેમાં વિદ્યુતભાર વિતરણ એવી રીતે થાય છે કે, જેથી પ્રેરિત વિદ્યુતભારોના લીધે ઉદ્ભવતું વિદ્યુતક્ષેત્ર, બાહ્ય વિદ્યુતક્ષેત્રનો વિરોધ કરે અને સુવાહકમાં ચોખ્ખું વિદ્યુતક્ષેત્ર શૂન્ય બને ત્યાં સુધી વિદ્યુતભારોની ગતિ થાય છે.
સુવાહકમાં $E _{0}+ E _{\text {in }}=0$ હોય છે.
ડાઇઈલેક્ટ્રિક : " આ ઈલેક્ટ્રિક એક એવો પદાર્થ છે કે જે તેમાંથી વિદ્યુતભારોને પસાર થવા દેતો નથી પણ તેમાં વિદ્યુતભારોને એકબીજા પર વિદ્યુતબળ લગાડવાની છूટ આપે છે".
ડાઈઈલેક્ટ્રિક એ ખરેખર અવાહકો છે કे જે વિદ્યુતભારોના મર્યાદિત સ્થાનાંતરથી ધ્રુવીભૂત થઈ શકે છે.
ડાઈઇલેક્ટ્રિકમાં વિદ્યુતભારોની ગતિ શક્ય નથી પણ બાહ્ય વિદ્યુતક્ષેત્રમાં ડાઈલેક્ટ્રિકને મૂક્તાં તેના અણુઓને ખેંચીને કે પુન:ગોઠવણીથી ડાઈપોલ ચાકમાત્રા પ્રેરિત થાય છે.
બધી આણ્વિક ડાઈપોલ ચાકમાત્રાની સામૂહિક અસર ડાઇઈલેક્ટ્રિકની સપાટી પર ચોખ્ખું વિદ્યુતભાર રૂપે જણાય છે.
આ વિદ્યુતભારો બાહ્ય ક્ષેત્રનો વિરોધ કરતું ક્ષેત્ર ઉત્પન્ન કરે છે તેથી બાહ્ય વિદ્યુતક્ષેત્ર ધટે છે.
$\therefore E _{0}+ E _{ in } \neq 0$
આ અસરનું પ્રમાણ ડાઇઈલેક્ટ્રિકના આકાર પર આધારિત છે.
બાહ્ય વિદ્યુતક્ષેત્રમાં સુવાહક અને અવાહકની વર્તણૂક માટેની આકૃતિઓ નીચે છે.
Similar Questions
સમાન વિધુતક્ષેત્રમાં ઘુવીય અણુનું ધ્રુવીભવન સમજાવો.
સમાન વિધુતક્ષેત્રમાં ઘુવીય અણુનું ધ્રુવીભવન સમજાવો.
$10 \mu \mathrm{F}$ સંધારકતા ધરાવતા અને જેમની બે પ્લેટો હવામાં $10 \mathrm{~mm}$ અંતરે રહેલી હોય અને જેનું ક્ષેત્રફળ $4 \mathrm{~cm}^2$ હોય તેવા સંધારક (કેપેસીટર)માં અનુક્રમે $K_1=2$ અને $K_2=3$ ડાયઈલેકટ્રીક અચળાiક ધરાવતા બે ડાયઈલેકટ્રીક માધ્યમોને સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે, આકૃતિ જુઓ. જો બે પ્લેટો વચ્ચેનું નવું બળ $8 \mathrm{~N}$ હોય તો ઉદગમ (supply) વોલ્ટેજ. . . . . . $\mathrm{V}$ હશે.
$10 \mu \mathrm{F}$ સંધારકતા ધરાવતા અને જેમની બે પ્લેટો હવામાં $10 \mathrm{~mm}$ અંતરે રહેલી હોય અને જેનું ક્ષેત્રફળ $4 \mathrm{~cm}^2$ હોય તેવા સંધારક (કેપેસીટર)માં અનુક્રમે $K_1=2$ અને $K_2=3$ ડાયઈલેકટ્રીક અચળાiક ધરાવતા બે ડાયઈલેકટ્રીક માધ્યમોને સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે, આકૃતિ જુઓ. જો બે પ્લેટો વચ્ચેનું નવું બળ $8 \mathrm{~N}$ હોય તો ઉદગમ (supply) વોલ્ટેજ. . . . . . $\mathrm{V}$ હશે.
- [JEE MAIN 2024]
$9 n F$ કેપેસિટરનો ડાઈઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $\varepsilon_{ r }=2.4,$ ડાઈઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ $20\, MV / m$ અને વિદ્યુતસ્થિતિમાન $=20 \,V$ છે તો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ........... $\times 10^{-4}\, m ^{2}$ હશે?
$9 n F$ કેપેસિટરનો ડાઈઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $\varepsilon_{ r }=2.4,$ ડાઈઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ $20\, MV / m$ અને વિદ્યુતસ્થિતિમાન $=20 \,V$ છે તો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ........... $\times 10^{-4}\, m ^{2}$ હશે?
- [AIIMS 2019]
જો સમાન કદ અને સમાન સ્થિતિમાન $V$ વાળા $n$ ટીપાંઓ મોટા ટીપામાં રૂપાંતર પામે તો મોટા ટીપાંનું સ્થિતિમાન ......... હશે.
જો સમાન કદ અને સમાન સ્થિતિમાન $V$ વાળા $n$ ટીપાંઓ મોટા ટીપામાં રૂપાંતર પામે તો મોટા ટીપાંનું સ્થિતિમાન ......... હશે.
જ્યારે સમાંતર પ્લેટ વચ્યે $d$ જાડાઈનું હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $5\,\mu\,F$ છે. આ બંને પ્લેટ વચ્યે $1.5$ ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક અને પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું ક્ષેત્રફળ પણ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતો પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો સ્લેબની હાજરી કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થાય.
જ્યારે સમાંતર પ્લેટ વચ્યે $d$ જાડાઈનું હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $5\,\mu\,F$ છે. આ બંને પ્લેટ વચ્યે $1.5$ ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક અને પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું ક્ષેત્રફળ પણ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતો પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો સ્લેબની હાજરી કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થાય.
- [JEE MAIN 2023]