$12.5 \mathrm{pF}$ સંધારકતા ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટર (સંધારક)ને બે પ્લેટો વચ્ચે $12.0$ વોલ્ટના સ્થિતિમાનના તફાવત સાથે એક બેટરી થકી વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને ડાયઇલેકટ્રીક યોસલા $\left(\epsilon_{\mathrm{r}}=6\right)$ ને પ્લટોની વચ્ચે સરકાવવામાં આવે છે. ડાયઇલેકટ્રીક ચોસલાને દાખલ કર્યા બાદ સ્થિતિઊર્જામાં ફેરફાર. . . . . . .$\times 10^{-12}$ $J$ હશે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.05\, m$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3 \times 10^4\,V/m$ મુલ્યનું વિ. ક્ષેત્ર સ્થાપિત કરવામાં આવે છે. તેને બેટરીથી દૂર કરી અને એક $0.01 \,m$ જાડાઈની ધાતુની અવિદ્યુતભારિત પ્લેટને (કેપેસિટર) દાખલ કરવામાં આવે છે. તો જો ધાતુની પ્લેટને બદલે $K = 2$ ડાઈ-ઈલેકટ્રીક અચળાંકની પ્લેટને મુકવામાં આવે તો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા…..$kV$  હશે ?

ધ્રુવીભૂત થયેલા ડાઈઇલેક્ટ્રિકના અંદરના ભાગમાં મૂળ વિધુતક્ષેત્રમાં કેવો ફેરફાર કરે છે ?

$K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક ધરાવતા માધ્યમમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર $\vec E$ છે. જો શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી ${ \varepsilon _0}$ હોય તો વિદ્યુતસ્થાનાંતર સદીશ કેટલો થાય?

ધ્રુવીય અને અઘુવીય અણુઓ કોને કહે છે ? તેમના ઉદાહરણ આપો.