કેપેસિટરને બેટરી દ્વારા જોડીને ચાર્જકરવામાં આવે છે.હવે બેટરી દૂર કરીને ડાઇઇલેકિટ્રક દાખલ કરતાં

ધ્રુવીભવન એટલે શું? 

$A$ જેટલો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ, પ્લેટો વચ્યેનું અંતર $d =2 \,m$ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ સંધારકની સંધારકતા $4 \,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અડધા વિસ્તારને $K =3$ જેટલો ડાયઈલેકટ્રીક ધરાવતા અવાહક માધ્યમથી ભરવામાં આવે (આફૃતિ જુઓ) તો આ તંત્રની નવી સંધારકતા .........  $ \mu F$ થશે.

$12\, cm$ અને $9\, cm$ ત્રિજયા ધરાવતી ગોળીય કવચ વચ્ચે $6$ ડાઇઇલેકિટ્રક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે.બહારની ગોળીય કવચ ગ્રાઉન્ડ કરેલ છે,તો તંત્રનો કેપેસિટન્સ કેટલો થાય?

પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ એને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર ડાઇલેક્ટ્રિકથી ભરેલું છે. કેપેસિટરની ક્ષમતા શું હશે જ્યારે ડાઇલેક્ટ્રિકની પરમિટિવિટી નીચે પ્રમાણે બદલાય.

$\varepsilon(x)=\varepsilon_{0}+k x, \text { for }\left(0\,<\,x \leq \frac{d}{2}\right)$

$\varepsilon(x)=\varepsilon_{0}+k(d-x)$, for $\left(\frac{d}{2} \leq x \leq d\right)$

$A$ પ્લેટના ક્ષેત્રફળ તથા $d$ તકતી વચ્યેનું અલગીકરણ દર્શાવતા એક સમાંતર તકતી વાળા સંગ્રાહકમાં $K=4$ પરાવિદ્યુતાંક ધરાવતા પરાવિદ્યુત વસ્તુ ભરેલી છે. પરાવિદ્યુત વસ્તુની જાડાઈ $x$ છે, જ્યા $x < d$.

ધારો કે $C _1$ અને $C _2$ એ તંત્રની સંગ્રાહકતા $x=\frac{1}{3} d$ અને $x=\frac{2 d}{3}$ માટે અનુક્રમે છે. જો $C _1=2 \mu F$ તો $C _2$ કિમત $........\mu F$ છે.