નીચેનામાંથી કયા અણુઓમાં $\pi 2{{\rm{p}}_{\rm{z}}}$ અને $\pi 2{{\rm{p}}_{\rm{y}}}$ કક્ષકો ${\sigma ^*}2{{\rm{p}}_{\rm{x}}}$ આણ્વીય કક્ષકો ભરાયા પછી ભરાય છે ?
$(A)$ ${{\rm{O}}_2}$ $(B)$ $\mathrm{Ne}_{2}$ $(C)$ $\mathrm{N}_{2}$ $(D)$ $\mathrm{F}_{2}$
$(C)$ $N _{2}$
$N _{2}$ અણુમાં કુલ હાજર ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $14$ છે.
$N _{2}$ અણુનું ઇલેક્ટ્રોન બંધારણ નીચે મુજબ છે :
$\sigma 1 s^{2}, \sigma^{*} 1 s^{2}, \sigma 2 s^{2}, \sigma^{*} 2 s^{2}, \pi 2 p_{x}^{2} \approx \pi 2 p_{y}^{2}, \sigma 2 p_{z}^{2}$
$\sigma 1 s<\sigma^{*} 1 s<\sigma 2 s<\sigma^{*} 2 s<\sigma 2 p_{z}<\left(\pi 2 p_{x} \approx \pi 2 p_{y}\right)<\left(\pi^{*} 2 p_{x} \approx \pi^{*} 2 p_{y}\right)<\sigma^{*} 2 p_{z}$ આ અણુઓની ચઢતી શક્તિ સપાટીનો ક્રમ નીચે મુજબ છે :
$\sigma 1 s<\sigma^{*} 1 s<\sigma 2 s<\sigma^{*} 2 s<\left(\pi 2 p_{x} \approx \pi 2 p_{y}\right)<\sigma 2 p_{z}<\left(\pi^{*} 2 p_{x} \approx \pi^{*} 2 p_{y}\right)<\sigma^{*} 2 p_{z}$
વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
આ ઘટકો માં $NO , NO ^{+}, NO ^{2+}, NO ^{-},$ લઘુત્તમ બંધની પ્રબળતા ધરાવતું એક કયું છે:
$BrF_{3}$ અણુમાં મધ્યવર્તી પરમાણુમાં અસંબંધકારક યુગ્મ(મો)ની સંખ્યા અને આકાર,...... .
નીચે ચાર દ્વિપરમાણ્વિય ઘટકો જુદા જુદા ક્રમમાં દર્શાવ્યા છે. તો ક્યો તેમના બંધક્રમાંકનો સાચો વધતો ક્રમ દર્શાવે છે ?
નીચેનામાંથી ક્યો ધટક સામાન્ય પરિસ્થિતિમાં અસ્તિત્વ ધરાવતો નથી ?