જોડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંક અને ડાઈ ઈલેકટ્રીક સ્ટ્રેન્થને અનુક્રમે $k$ અને $x$ વડે દર્શાવવામાં આવે તો કેપેસિટરમાં ડાઈ ઈલેકટ્રીક તરીકે ઉપયોગ કરવા માટે યોગ્ય દ્રવ્ય પાસે શું હોવું જોઈએ ?

ધ્રુવીભૂત થયેલા ડાઈઇલેક્ટ્રિકના અંદરના ભાગમાં મૂળ વિધુતક્ષેત્રમાં કેવો ફેરફાર કરે છે ?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક મૂકવામાં આવે છે. જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક નીચે મુજબ બદલાય છે.

$K(x) = K_0 + \lambda x$ ($\lambda  =$ અચળાંક)

શૂન્યાવકાશમાં કેપેસીટરનું મૂલ્ય $C_0$ હોય તો $C_0$ના સ્વરૂપમાં કેપેસીટન્સ $C$ કેટલું મળે?

દર્શાવેલ આકૃતિમાં, સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટોની વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક (માધ્યમના) સંયોજન બનાવીને એક કેપેસીટર રચવામાં આવેલ છે. આ રીતે બનાવેલ કેપેસીટરના કેપેસીટન્સનું સૂત્ર ......... થશે.  (પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $=A$ છે)

એક સમાંતર પ્લેટોવાળા કેપેસીટરને વિદ્યુતભાર કરેલ નથી અને તેની પ્લેટો વચ્ચે $K$ જેટલો અચળાંક ધરાવતી ડાઈ ઈલેક્ટ્રીક રાખેલ છે, તેને તેવા જ એક કેપેસીટર કે જેની પ્લેટો વચ્ચે માત્ર હવા જ છે તેની સાથે $V$ જેટલા સ્થિતિમાનના તફાવતે જોડેલ છે.જો બંને કેપેસીટરો સમાન વિદ્યુતભાર વહેંચતા  હોય અને સમાન સ્થિતિમાનના તફાવતે જોડેલ છે. જો બંને કેપેસીટરો સમાન વિદ્યુતભાર વહેંચતા હોય અને સમાન સ્થિતિમાન $V$ હોય, તો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાક $K$ નું મુલ્ય કેટલું થશે ?

$A$ જેટલો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ, પ્લેટો વચ્યેનું અંતર $d =2 \,m$ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ સંધારકની સંધારકતા $4 \,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અડધા વિસ્તારને $K =3$ જેટલો ડાયઈલેકટ્રીક ધરાવતા અવાહક માધ્યમથી ભરવામાં આવે (આફૃતિ જુઓ) તો આ તંત્રની નવી સંધારકતા .........  $ \mu F$ થશે.