સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતરઅડધું કરી પ્લેટો વચ્ચેનો વિસ્તાર ડાઈઈલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરી દેવામાં આવે છે. જો નવું કેસેસિટન્સ $3C$ હોય તો માધ્યમનો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

કેપેસિટરની બે પ્લેટ વચ્ચે હવા હોેય ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $1\,pF$ છે.બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર બમણું કરી તેમની વચ્ચે મીણથી ભરી દેતા નવો કેપેસિટન્સ $2\,pF.$ છે. તો મીણનો ડાયઇલેકટ્રીક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટોવાળા કેપેસીટરને વિદ્યુતભાર કરેલ નથી અને તેની પ્લેટો વચ્ચે $K$ જેટલો અચળાંક ધરાવતી ડાઈ ઈલેક્ટ્રીક રાખેલ છે, તેને તેવા જ એક કેપેસીટર કે જેની પ્લેટો વચ્ચે માત્ર હવા જ છે તેની સાથે $V$ જેટલા સ્થિતિમાનના તફાવતે જોડેલ છે.જો બંને કેપેસીટરો સમાન વિદ્યુતભાર વહેંચતા  હોય અને સમાન સ્થિતિમાનના તફાવતે જોડેલ છે. જો બંને કેપેસીટરો સમાન વિદ્યુતભાર વહેંચતા હોય અને સમાન સ્થિતિમાન $V$ હોય, તો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાક $K$ નું મુલ્ય કેટલું થશે ?

ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $3$ અને ડાયઈલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ લગભગ $10 \,V \,m$ ધરાવતા દ્રવ્યની મદદથી $1 \,k\,V$ રેટીંગ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની રચના કરવાની છે. [ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ એ દ્રવ્ય દ્વારા બ્રેકડાઉન પામ્યા વિના (આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ થયા વિના) સહન કરી શકાતું મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે.] સલામતી માટે ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થના $10 \%$ કરતાં ક્ષેત્ર કદી વધે નહિ તે ઇચ્છનીય છે. $50 \,pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જરૂરી છે?

એક સમાંતર પ્લેટવાળા કેપેસીટરની પ્લેટો વસ્ચે હવા રહેલી છે અને તેનું કેપેસીટન્સ $C$ છે. આ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બે ગણું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચે $6$ જેટલાં અચળાંક ધરાવતું ડાઈઈલેક્ટ્રીક ભરી દેવામાં આવે તો નવો કેપેસીટન્સ કેટલો થશે?