$5\,\mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટર પર $5\,\mu C$ વિદ્યુતભાર છે.જો કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર વધારીને તેનું કેપેસીટન્સ $2\,\mu F$ કરવા માટે કેટલુ કાર્ય કરવું પડે?

કૅપેસિટરમાં ઊર્જા કયા સ્વરૂપે સંગ્રહ પામે છે? તે જણાવો ?

પ્લેટોની વચ્ચે $K$ ડાય-ઈલેકટ્રીક અચળાંક ધરાવતા ડાય ઈલેકટ્રીક સાથે એક સમાંતર પ્લેટ સંગ્રાહકની કેપેસિટી $C$ અને $A$ ને $V$ વોલ્ટ સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરેલ છે. પ્લેટો વચ્ચે ડાઈ ઈલેકટ્રીન સ્લેબને ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ફરી દાખલ કરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા તંત્ર દ્વારા થતું ચોખ્ખું કાર્ય.....

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેના અવકાશમાં એકસમાન વિદ્યુતક્ષેત્ર $E$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે અને પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ હોય, તો  કેપેસીટરમાં સંગ્રહ પામતી ઉર્જા કેટલી હશે?

વિદ્યુતભારીત કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની સરેરાશ વિદ્યુતીય ઊર્જા ઘનતા (અહી $q$ = કેપેસિટર પર વિદ્યુતભાર અને $A$= કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ)

$4 \times {10^{ - 6}}$ ફેરાડે કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરને $100\,\,volts$ થી ચાર્જ કરવામાં આવે તો સંગ્રહાતી ઉર્જા .......$Joule$ થાય