$4\ \mu F$ ના કેપેસીટરને $80\ V$ સુધી વિદ્યુતભારીત કરેલ છે જ્યારે $6\ \mu F$ કેપેસીટરને $30\ V$ સુધી વિદ્યુતભારીત કરેલ છે જ્યારે તેમને જોડવામાં આવે તો $4\ \mu F$ કેપેસીટર દ્વારા ગુમાવાતી ઉર્જા .....$mJ$

પ્લેટોની વચ્ચે $K$ ડાય-ઈલેકટ્રીક અચળાંક ધરાવતા ડાય ઈલેકટ્રીક સાથે એક સમાંતર પ્લેટ સંગ્રાહકની કેપેસિટી $C$ અને $A$ ને $V$ વોલ્ટ સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરેલ છે. પ્લેટો વચ્ચે ડાઈ ઈલેકટ્રીન સ્લેબને ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ફરી દાખલ કરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા તંત્ર દ્વારા થતું ચોખ્ખું કાર્ય.....

નીચે આપેલી આકૃતિ બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરોને બેટરી અને બંધ સ્વિચ $S$ સાથે જોડેલા દર્શાવે છે. હવે સ્વિચને $open$ કરી અને કેપેસિટરોની પ્લેટ વચ્ચે મુક્ત અવકાશમાં $3$ ડાઈ ઈલેક્ટ્રી અચળાંક વાળા પદાર્થને ભરવામાં આવે છે. તો ડાઈ ઈલેકટ્રીને દાખલ કર્યા પહેલાં અને પછી બંને કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત કુલ સ્થિતિ વિદ્યુતીય ઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે ?

$C$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરને $V$ વોલ્ટની બેટરી સાથે સમાંતરમાં જોડવામાં આવેલ છે હવે વિદ્યુતભાર સમાન રાખીને કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે છે તથા ફરીથી તેને $V$ વોલ્ટ સુધી વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે તો બેટરી દ્વારા અપાતી ઉર્જા...?

$A$ ક્ષેત્રફળ અને $Q$ વિદ્યુતભાર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની ઊર્જા ઘનતા કેટલી થાય?

પુરો વિદ્યુતભાર થયેલા એક સમાંતર પ્લેટવાળા કેેેસીટરને બેટરી સાથે જોડેલ રાખીને અવાહક સાધનો વડે તેની પ્લેટોને એકબીજાથી દૂર કરવામાં આવે છે. આ સ્થિતિમાં નીચેનામાંથી કઈ રાશિનું  મૂલ્ય ઘટશે?