બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C$ જેમની પ્લેટના આડછેડનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને તે $d$ અંતરે છે .આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે ત્રણ સમાન જાડાઈ ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિક જેના ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1$ , $K_2$ અને $K_3$ ને ભરેલા છે. આ બંને કેપેસીટર પર સમાન વૉલ્ટેજ $V$ લગાવવામાં આવે તો તેમાં સંગ્રહ થતી ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?
બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C$ જેમની પ્લેટના આડછેડનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને તે $d$ અંતરે છે .આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે ત્રણ સમાન જાડાઈ ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિક જેના ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1$ , $K_2$ અને $K_3$ ને ભરેલા છે. આ બંને કેપેસીટર પર સમાન વૉલ્ટેજ $V$ લગાવવામાં આવે તો તેમાં સંગ્રહ થતી ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?
- [JEE MAIN 2019]
- A
$\frac{{{E_1}}}{{{E_2}}} = \frac{{{K_1}{K_2}{K_3}}}{{\left( {{K_1} + {K_2} + {K_3}} \right)\,\left( {{K_2}{K_3} + {K_3}{K_1} + {K_1}{K_2}} \right)}}$
- B
$\frac{{{E_1}}}{{{E_2}}} = \frac{{9{K_1}{K_2}{K_3}}}{{\left( {{K_1} + {K_2} + {K_3}} \right)\,\left( {{K_2}{K_3} + {K_3}{K_1} + {K_1}{K_2}} \right)}}$
- C
$\frac{{{E_1}}}{{{E_2}}} = \frac{{\left( {{K_1} + {K_2} + {K_3}} \right)\,\left( {{K_2}{K_3} + {K_3}{K_1} + {K_1}{K_2}} \right)}}{{9{K_1}{K_2}{K_3}}}$
- D
$\frac{{{E_1}}}{{{E_2}}} = \frac{{\left( {{K_1} + {K_2} + {K_3}} \right)\,\left( {{K_2}{K_3} + {K_3}{K_1} + {K_1}{K_2}} \right)}}{{{K_1}{K_2}{K_3}}}$
Similar Questions
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે કેપેસિટન્સ $9\;pF$ છે. બંને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે આ બંને પ્લેટ વસ્ચે બે ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યો ભરવામાં આવે છે. એક ડાઈઇલેક્ટ્રીક દ્રવ્યોનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $k_{1}=3$ અને અંતર $\frac{ d }{3}$ છે. જ્યારે બીજા દ્રવ્યોનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $k _{2}=6$ અને અંતર $\frac{2 d }{3}$ છે. તો આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ ($pF$ માં) હવે કેટલું થશે ?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે કેપેસિટન્સ $9\;pF$ છે. બંને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે આ બંને પ્લેટ વસ્ચે બે ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યો ભરવામાં આવે છે. એક ડાઈઇલેક્ટ્રીક દ્રવ્યોનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $k_{1}=3$ અને અંતર $\frac{ d }{3}$ છે. જ્યારે બીજા દ્રવ્યોનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $k _{2}=6$ અને અંતર $\frac{2 d }{3}$ છે. તો આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ ($pF$ માં) હવે કેટલું થશે ?
- [AIEEE 2008]
પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ એને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર ડાઇલેક્ટ્રિકથી ભરેલું છે. કેપેસિટરની ક્ષમતા શું હશે જ્યારે ડાઇલેક્ટ્રિકની પરમિટિવિટી નીચે પ્રમાણે બદલાય.
$\varepsilon(x)=\varepsilon_{0}+k x, \text { for }\left(0\,<\,x \leq \frac{d}{2}\right)$
$\varepsilon(x)=\varepsilon_{0}+k(d-x)$, for $\left(\frac{d}{2} \leq x \leq d\right)$
પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ એને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર ડાઇલેક્ટ્રિકથી ભરેલું છે. કેપેસિટરની ક્ષમતા શું હશે જ્યારે ડાઇલેક્ટ્રિકની પરમિટિવિટી નીચે પ્રમાણે બદલાય.
$\varepsilon(x)=\varepsilon_{0}+k x, \text { for }\left(0\,<\,x \leq \frac{d}{2}\right)$
$\varepsilon(x)=\varepsilon_{0}+k(d-x)$, for $\left(\frac{d}{2} \leq x \leq d\right)$
- [JEE MAIN 2021]
$d$ જેટલું પ્લેટોનું અંતર ધરાવતા કેપેસીટરને $V$ સ્થિતિમાટે રાખેલ છે. બેટરીથી છુટો કરી દીધા બાદ તેનામાં $\frac{d}{2}$ જેટલી જાડાઈનો એવો ડાઈઇલેક્ટ્રીક દાખલ કરાય છે કે જેને ડાઈઇલેકટ્ટીક અચળાંક $2$ છે. હવે તેનાં બે છેડાઓ વચ્ચે વિદ્યુત સ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો રહેશે ?
$d$ જેટલું પ્લેટોનું અંતર ધરાવતા કેપેસીટરને $V$ સ્થિતિમાટે રાખેલ છે. બેટરીથી છુટો કરી દીધા બાદ તેનામાં $\frac{d}{2}$ જેટલી જાડાઈનો એવો ડાઈઇલેક્ટ્રીક દાખલ કરાય છે કે જેને ડાઈઇલેકટ્ટીક અચળાંક $2$ છે. હવે તેનાં બે છેડાઓ વચ્ચે વિદ્યુત સ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો રહેશે ?
$12.5 \mathrm{pF}$ સંધારકતા ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટર (સંધારક)ને બે પ્લેટો વચ્ચે $12.0$ વોલ્ટના સ્થિતિમાનના તફાવત સાથે એક બેટરી થકી વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને ડાયઇલેકટ્રીક યોસલા $\left(\epsilon_{\mathrm{r}}=6\right)$ ને પ્લટોની વચ્ચે સરકાવવામાં આવે છે. ડાયઇલેકટ્રીક ચોસલાને દાખલ કર્યા બાદ સ્થિતિઊર્જામાં ફેરફાર. . . . . . .$\times 10^{-12}$ $J$ હશે.
$12.5 \mathrm{pF}$ સંધારકતા ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટર (સંધારક)ને બે પ્લેટો વચ્ચે $12.0$ વોલ્ટના સ્થિતિમાનના તફાવત સાથે એક બેટરી થકી વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને ડાયઇલેકટ્રીક યોસલા $\left(\epsilon_{\mathrm{r}}=6\right)$ ને પ્લટોની વચ્ચે સરકાવવામાં આવે છે. ડાયઇલેકટ્રીક ચોસલાને દાખલ કર્યા બાદ સ્થિતિઊર્જામાં ફેરફાર. . . . . . .$\times 10^{-12}$ $J$ હશે.
- [JEE MAIN 2024]
એક સમાંતર પ્લેટવાળા કેપેસીટરની પ્લેટો વસ્ચે હવા રહેલી છે અને તેનું કેપેસીટન્સ $C$ છે. આ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બે ગણું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચે $6$ જેટલાં અચળાંક ધરાવતું ડાઈઈલેક્ટ્રીક ભરી દેવામાં આવે તો નવો કેપેસીટન્સ કેટલો થશે?
એક સમાંતર પ્લેટવાળા કેપેસીટરની પ્લેટો વસ્ચે હવા રહેલી છે અને તેનું કેપેસીટન્સ $C$ છે. આ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બે ગણું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચે $6$ જેટલાં અચળાંક ધરાવતું ડાઈઈલેક્ટ્રીક ભરી દેવામાં આવે તો નવો કેપેસીટન્સ કેટલો થશે?