આણ્વીય કક્ષક સિદ્ધાંતનો ઉપયોગ કરીને ${\rm{O}}_2^ + $ અને ${\rm{O}}_2^{2 - }$ સ્પિસીઝની બંધશક્તિ અને ચુંબકીય ગુણધર્મોની સરખામણી કરો.
આણ્વીય કક્ષકના સિદ્ધાંત પ્રમાણે $\mathrm{O}_{2}^{+}$ અને $\mathrm{O}_{2}^{-}$ના ઇલેક્ટ્રોનિય બંધારણ નીચે મુજબ છે.:
$\mathrm{O}_{2}^{+}:(\sigma 1 s)^{2}\left(\sigma^{*} 1 s\right)^{2}(\sigma 2 s)^{2}\left(\sigma^{*} 2 s\right)^{2}\left(\sigma 2 p_{z}\right)^{2}\left(\pi 2 p_{x}^{2}, \pi 2 p_{y}^{2}\right)\left(\pi^{*} 2 p_{x}^{2}\right)$
બંધ ક્રમાંક $\mathrm{O}_{2}^{+}=\frac{10-5}{2}=\frac{5}{2}=2.5$
$\mathrm{O}_{2}^{-}:(\sigma 1 s)^{2}\left(\sigma^{*} 1 s\right)^{2}(\sigma 2 s)^{2}\left(\sigma^{*} 2 s^{2}\right)\left(\sigma 2 p_{z}\right)^{2}\left(\pi 2 p_{x}^{2}, \pi 2 p_{y}^{2}\right)\left(\pi^{*} 2 p_{x}^{2},\left(\pi^{*} 2 p_{y}^{1}\right)\right.$
બંધ ક્રમાંક $\mathrm{O}_{2}^{-}=\frac{10-7}{2}=\frac{3}{2}=1.5$
$\mathrm{O}_{2}^{+}$ના ઊંચા બંધ ક્રમાંક નું મૂલ્ય દર્શાવે છે કે $\mathrm{O}_{2}^{-}$. કરતાં તે વધુ સ્થાયી છે.બંને સ્પિસીઝ અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન ધરાવે આથી બંને અનુચુંબકીય ગુણધર્મ ધરાવે છે.
નીચેના અણુ/આયન પૈકી ક્યો એક પ્રતિચુંબકીય છે અને સૌથી ઓછી બંધલંબાઇ ધરાવે છે ?
$C_2^{2-} ,N_2^{2-} ,O_2^{2-},O_2$
નીચેનામાંથી ક્યો ધટક સામાન્ય પરિસ્થિતિમાં અસ્તિત્વ ધરાવતો નથી ?
નીચે દર્શાવેલા વિધાનોમાં સાચું વિધાન કર્યું છે ?
$(A)$ ઓક્સિજન પરમાણુમાંથી ડાયઓક્સિજન બનાવવામાં $10$ આણ્વીય કક્ષકો બનશે.
$(B)$ ડાયઓક્સિજનમાં બધા જ આણ્વીય કક્ષકો સંપૂર્ણ ભરાયેલા છે.
$(C)$ $\mathrm{O}_{2}$ માં બંધકારક આવીય કક્ષકોની કુલ સંખ્યા બંધપતિકાક આસ્વીય કક્ષકોની સંખ્યા જેટલી નહિ મળે.
$(D)$ પૂર્ણ ભરાયેલા બંધકારક કક્ષકોની સંખ્યા અને બંધપ્રતિકારક આવીય કક્ષકોની સંખ્યા સમાન હશે.
વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
નીચેના પૈકી કયુ આણ્વિય કક્ષકની આકૃતિને સૌથી સારી રીતે રજૂ કરે છે ?