સમઘનના ખૂણા પર $+Q$ વિદ્યુતભાર મૂકતાં કેન્દ્ર પર વિદ્યુતક્ષેત્ર કેટલું થાય? $\left( {k = \frac{1}{{4\pi {\varepsilon _0}}}} \right)$
સમઘનના ખૂણા પર $+Q$ વિદ્યુતભાર મૂકતાં કેન્દ્ર પર વિદ્યુતક્ષેત્ર કેટલું થાય? $\left( {k = \frac{1}{{4\pi {\varepsilon _0}}}} \right)$
- A
$\frac{{kQ}}{{{r^2}}}$
- B
$\frac{{8kQ}}{{{r^2}}}$
- C
$\frac{{2kQ}}{{{r^2}}}$
- D
$0$
Similar Questions
$5\ cm$ ત્રિજ્યાનું એક ગોળીય કવચ તેના પૃષ્ઠ પર $10$ વોલ્ટના સ્થિતિમાન સાથે વિદ્યુતભારીત થયેલ છે. તકતીની અંદરની બાજુએ સ્થિતિમાન ......$V$ હશે.
$5\ cm$ ત્રિજ્યાનું એક ગોળીય કવચ તેના પૃષ્ઠ પર $10$ વોલ્ટના સ્થિતિમાન સાથે વિદ્યુતભારીત થયેલ છે. તકતીની અંદરની બાજુએ સ્થિતિમાન ......$V$ હશે.
‘$a$’ બાજુવાળા ચોરસના દરેક શિરોબિંદુ પર $Q$ વિજભાર મૂકેલ છે.ચોરસના કેન્દ્ર પરથી $-Q$ વીજભારને દૂર કરીને અનંત અંતરે મોકલવા માટે કેટલું કાર્ય કરવું પડે?
‘$a$’ બાજુવાળા ચોરસના દરેક શિરોબિંદુ પર $Q$ વિજભાર મૂકેલ છે.ચોરસના કેન્દ્ર પરથી $-Q$ વીજભારને દૂર કરીને અનંત અંતરે મોકલવા માટે કેટલું કાર્ય કરવું પડે?
એક વિદ્યુતભાર $Q$ ને ધનના કેન્દ્ર આગળ મૂકેલો છે. ધનની બધી જ છ બાજુઓ માંથી પસાર થતું વિદ્યુતફલક્સ .......... છે.
એક વિદ્યુતભાર $Q$ ને ધનના કેન્દ્ર આગળ મૂકેલો છે. ધનની બધી જ છ બાજુઓ માંથી પસાર થતું વિદ્યુતફલક્સ .......... છે.
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર વચ્ચેની અડધી જગ્યા પ્લેટને સમાંતર $K$ ડાઈ ઈલેક્ટ્રીના માધ્યમ વડે ભરેલી છે. જો પ્રારંભિક કેપેસિટી $C$ હોય તો નવી (અંતિમ) કેપેસિટી કેટલી હશે કૂલ ?
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર વચ્ચેની અડધી જગ્યા પ્લેટને સમાંતર $K$ ડાઈ ઈલેક્ટ્રીના માધ્યમ વડે ભરેલી છે. જો પ્રારંભિક કેપેસિટી $C$ હોય તો નવી (અંતિમ) કેપેસિટી કેટલી હશે કૂલ ?
$15\ \mu \,F$ કેપેસિટન્સ અને $2\ mm.$ પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ઘરાવતો કેપેસિટર છે.ડાયઇલેકટ્રીક અચળાંક $(K = 2)$ અને જાડાઇ $1\ mm$ ઘરાવતી ડાયઇલેકટ્રીકને પ્લેટ વચ્ચે મૂકતા નવો કેપેસિટન્સ કેટલો થાય?
$15\ \mu \,F$ કેપેસિટન્સ અને $2\ mm.$ પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ઘરાવતો કેપેસિટર છે.ડાયઇલેકટ્રીક અચળાંક $(K = 2)$ અને જાડાઇ $1\ mm$ ઘરાવતી ડાયઇલેકટ્રીકને પ્લેટ વચ્ચે મૂકતા નવો કેપેસિટન્સ કેટલો થાય?