જયારે કેપેસિટરનું ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $K = 3$ થી ભરતાં વિદ્યુતભાર ${Q_0}$,વોલ્ટેજ ${V_0}$ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર ${E_0}$ છે.હવે કેપેસિટરને ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $K = 9$ થી ભરતાં વિદ્યુતભાર,વોલ્ટેજ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર અનુક્રમે કેટલા થાય?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે તેલ ભરવામાં આવે છે (તેલનો ડાઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 2$ છે) તેનું કેપેસીટન્સ $C$ છે. જો તેલ દૂર કરવામાં આવે છે, તો કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું થાય?

$12.5 \mathrm{pF}$ સંધારકતા ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટર (સંધારક)ને બે પ્લેટો વચ્ચે $12.0$ વોલ્ટના સ્થિતિમાનના તફાવત સાથે એક બેટરી થકી વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને ડાયઇલેકટ્રીક યોસલા $\left(\epsilon_{\mathrm{r}}=6\right)$ ને પ્લટોની વચ્ચે સરકાવવામાં આવે છે. ડાયઇલેકટ્રીક ચોસલાને દાખલ કર્યા બાદ સ્થિતિઊર્જામાં ફેરફાર. . . . . . .$\times 10^{-12}$ $J$ હશે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના $A$ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટ એકબીજાથી $d$ જેટલા અંતરથી અલગ કરેલ છે. $\frac A2$ક્ષેત્રફળ અને $\frac d2$ જાડાઈ ધરાવતા બે ${K}_{1}$ અને ${K}_{2}$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા સ્લેબને પ્લેટો વચ્ચે જગ્યામાં દાખલ કરવામાં આવે છે. તો આ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું થશે?

પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ એને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર ડાઇલેક્ટ્રિકથી ભરેલું છે. કેપેસિટરની ક્ષમતા શું હશે જ્યારે ડાઇલેક્ટ્રિકની પરમિટિવિટી નીચે પ્રમાણે બદલાય.

$\varepsilon(x)=\varepsilon_{0}+k x, \text { for }\left(0\,<\,x \leq \frac{d}{2}\right)$

$\varepsilon(x)=\varepsilon_{0}+k(d-x)$, for $\left(\frac{d}{2} \leq x \leq d\right)$

$C$ કેપેસિટન્સવાળા હવાના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $ V. emf $ વાળી બેટરી સાથે જોડીને પછી છૂટું પાડવામાં આવે છે.$K $  ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ડાઇઇલેકિટ્રક સ્લેબને સંપૂર્ણ રીતે કેપેસિટરમાં ભરવામાં આવે છે.તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?