સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક મૂકવામાં આવે છે. જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક નીચે મુજબ બદલાય છે.
$K(x) = K_0 + \lambda x$ ($\lambda =$ અચળાંક)
શૂન્યાવકાશમાં કેપેસીટરનું મૂલ્ય $C_0$ હોય તો $C_0$ના સ્વરૂપમાં કેપેસીટન્સ $C$ કેટલું મળે?
$C\, = \,\frac{{\lambda d}}{{\ln \,(1 + {K_0}\lambda d)}}{C_0}$
$C\, = \,\frac{{\lambda }}{{d.\ln \,(1 + {K_0}\lambda d)}}{C_0}$
$C\, = \,\frac{{\lambda d}}{{\ln \,(1 + \lambda d/{K_0})}}{C_0}$
$C\, = \,\frac{\lambda }{{d.\ln \,(1 + {K_0}/\lambda d)}}{C_0}$
$K$ જેટલો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાઈઈલેક્ટ્રીક ને એક $q$ જેટલો ચાર્જ ધરાવતા કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. બે પ્લેટો વચ્ચે ઉત્પન્ન થયેલો પ્રેરિત ચાર્જ $q^{\prime}$ કયા સુત્રથી મળે?
સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ , પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્ય કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C_0$ છે. તેમાંથી ત્રીજા ભાગનું દ્રવ્ય $2K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્ય વડે બદલવામાં આવે છે, કે જેથી તેમાં પરિણામી બે કેપેસીટર એક $\frac{1}{3}\,A$ ક્ષેત્રફળવાળો ,જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $2K$ અને બીજો $\frac{2}{3}\,A$ ક્ષેત્રફળવાળો ,જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ થાય.જો નવા કેપેસીટરનો કેપેસીટન્સ $C$ હોય તો $\frac{C}{{{C_0}}}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?
$d$ જેટલું પ્લેટોનું અંતર ધરાવતા કેપેસીટરને $V$ સ્થિતિમાટે રાખેલ છે. બેટરીથી છુટો કરી દીધા બાદ તેનામાં $\frac{d}{2}$ જેટલી જાડાઈનો એવો ડાઈઇલેક્ટ્રીક દાખલ કરાય છે કે જેને ડાઈઇલેકટ્ટીક અચળાંક $2$ છે. હવે તેનાં બે છેડાઓ વચ્ચે વિદ્યુત સ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો રહેશે ?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના $A$ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટ એકબીજાથી $d$ જેટલા અંતરથી અલગ કરેલ છે. $\frac A2$ક્ષેત્રફળ અને $\frac d2$ જાડાઈ ધરાવતા બે ${K}_{1}$ અને ${K}_{2}$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા સ્લેબને પ્લેટો વચ્ચે જગ્યામાં દાખલ કરવામાં આવે છે. તો આ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું થશે?
ધ્રુવીભવનનું પ્રમાણ શેના પર આધારિત છે ?