એક કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે થોડું ડાઇઇલેક્ટ્રિક છે અને તેને $\mathrm{D.C.}$ ઉદગમ સાથે જોડેલું છે. પછી બેટરીને છૂટી પાડીને ડાઇઈલેક્ટ્રિક દૂર કરવામાં આવે છે, તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ, સંગ્રહિત ઊર્જા, વિધુતક્ષેત્ર, એકઠો થયેલો વિધુતભાર અને વોટેજ એ વધશે, ઘટશે અથવા અચળ રહેશે ? તે જાણવો ?
ડાઇઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ વાળું કૅપેસિટરનું કેપેસિટન્સ,
$C =\frac{ K \in_{0} A }{d}$
જ્યાં $K$ ધન છે અને તેનું મૂલ્ય $1$ કરતાં વધારે છે.
તેથી $A$ અને $d$ અચળ રાખીને કૅપેસિટરમાંથી ડાઇઈલેક્ટ્રિક અચળાંક દૂર કરતાં કૅપેસિટરનું કૅપેસિટન્સ $C$ ઘટે. જ્યારે બેટરી અને ડાઈઈલેક્ટ્રિકને દૂર કરીએ ત્યારે વિદ્યુતભાર અચળ રહે.
કૅપેસિટરમાં સંગ્રહ પામેલી ઊર્જા $U =\frac{q^{2}}{2 C }$ માં $q$ અચળ તેથી $U \propto \frac{1}{ C }$ માં ડાઇઇલેક્ટ્રિક દૂર કરતાં $C$ ધટે તેથી $V$ વધે.
હવે $d$ અચળ અને $V$ વધે છે તેથી $E =\frac{ V }{d}$ અનુસાર $E$ વધે.
$A$ પ્લેટના ક્ષેત્રફળ તથા $d$ તકતી વચ્યેનું અલગીકરણ દર્શાવતા એક સમાંતર તકતી વાળા સંગ્રાહકમાં $K=4$ પરાવિદ્યુતાંક ધરાવતા પરાવિદ્યુત વસ્તુ ભરેલી છે. પરાવિદ્યુત વસ્તુની જાડાઈ $x$ છે, જ્યા $x < d$.
ધારો કે $C _1$ અને $C _2$ એ તંત્રની સંગ્રાહકતા $x=\frac{1}{3} d$ અને $x=\frac{2 d}{3}$ માટે અનુક્રમે છે. જો $C _1=2 \mu F$ તો $C _2$ કિમત $........\mu F$ છે.
હવામાં ગોળાકારની કેપેસિટિ $50 \,\mu F$ છે. અને તેને તેલમાં ડૂબડતાં તે બને $110 \,\mu F$ છે. તો તેલનો ડાઈ ઈલેકટ્રીક ગણો.
$K$ જેટલો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાઈઈલેક્ટ્રીક ને એક $q$ જેટલો ચાર્જ ધરાવતા કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. બે પ્લેટો વચ્ચે ઉત્પન્ન થયેલો પ્રેરિત ચાર્જ $q^{\prime}$ કયા સુત્રથી મળે?
$2 {C}$ અને ${C}$ જેટલુ કેપેસીટર ધરાવતા બે કેપેસીટન્સને સમાંતરમાં જોડી $V$ જેટલા સ્થિતિમાનથી વિદ્યુતભારિત કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કરી $C$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરને $K$ જેટલો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી સંપૂર્ણ પણે ભરવામાં આવે છે. હવે કેપેસીટરનો સમાંતર સ્થિતિમાનનો તફાવત ............ થશે.
સમાંતર પ્લેટ કૅપેસિટરમાં ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંકવાળું માધ્યમ ભરતાં તેનું કૅપેસિટન્સ જણાવો.