એક કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે થોડું ડાઇઇલેક્ટ્રિક છે અને તેને $\mathrm{D.C.}$ ઉદગમ સાથે જોડેલું છે. પછી બેટરીને છૂટી પાડીને ડાઇઈલેક્ટ્રિક દૂર કરવામાં આવે છે, તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ, સંગ્રહિત ઊર્જા, વિધુતક્ષેત્ર, એકઠો થયેલો વિધુતભાર અને વોટેજ એ વધશે, ઘટશે અથવા અચળ રહેશે ? તે જાણવો ?
ડાઇઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ વાળું કૅપેસિટરનું કેપેસિટન્સ,
$C =\frac{ K \in_{0} A }{d}$
જ્યાં $K$ ધન છે અને તેનું મૂલ્ય $1$ કરતાં વધારે છે.
તેથી $A$ અને $d$ અચળ રાખીને કૅપેસિટરમાંથી ડાઇઈલેક્ટ્રિક અચળાંક દૂર કરતાં કૅપેસિટરનું કૅપેસિટન્સ $C$ ઘટે. જ્યારે બેટરી અને ડાઈઈલેક્ટ્રિકને દૂર કરીએ ત્યારે વિદ્યુતભાર અચળ રહે.
કૅપેસિટરમાં સંગ્રહ પામેલી ઊર્જા $U =\frac{q^{2}}{2 C }$ માં $q$ અચળ તેથી $U \propto \frac{1}{ C }$ માં ડાઇઇલેક્ટ્રિક દૂર કરતાં $C$ ધટે તેથી $V$ વધે.
હવે $d$ અચળ અને $V$ વધે છે તેથી $E =\frac{ V }{d}$ અનુસાર $E$ વધે.
$100\, m ^{2}$ ક્ષેત્રફળ અને $10\, m$ બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ધરાવતાં સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર છે,તેમાં $5\,m$માં ડાઇઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $10$ ધરાવતા ડાઇઇલેક્ટ્રીક મુક્તા નવા કેપેસિટન્સ $'x'$ $pF$ હોય તો $'x'=.......$
બે સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર તથા દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે જ્યારે $K$ ડાઇઇલેક્ટ્રીક અચળાંક અને $t$ જાડાઇના સ્લેબ ને પ્લેટોની વચ્ચે મુકવામાં આવે તો નવુ કેપેસીટન્સ....
$K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક ધરાવતા માધ્યમમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર $\vec E$ છે. જો શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી ${ \varepsilon _0}$ હોય તો વિદ્યુતસ્થાનાંતર સદીશ કેટલો થાય?
કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે.તેમાં $4 \times {10^{ - 5}}\,m$ ડાઇઇલેકિટ્રક પ્લેટ નાખતાં પહેલા જેટલો વોલ્ટેજ કરવા માટે બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $3.5 \times {10^{ - 5}}\,m$ વધારવું પડે છે.તો ડાઇઇલેકિટ્રકનો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક કેટલો હશે?
$9 n F$ કેપેસિટરનો ડાઈઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $\varepsilon_{ r }=2.4,$ ડાઈઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ $20\, MV / m$ અને વિદ્યુતસ્થિતિમાન $=20 \,V$ છે તો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ........... $\times 10^{-4}\, m ^{2}$ હશે?