સમાન વિધુતક્ષેત્રમાં અધુવીય અણુનું ધ્રુવીભવન સમજાવો અને રેખીય સમદિગ્ધર્મી ડાઇઇલેક્ટ્રિકની વ્યાખ્યા લખો.
આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે બાહ્ય વિદ્યુતક્ષેત્રમાં અધ્રુવીય અણુઓના ધન અને ઋણ વિદ્યુતભારો પરસ્પર વિરુદ્ધ દિશામાં સ્થાનાંતર પામે છે.
જ્યારે અણુંઓના ધટક વિદ્યુતભારો પરનું બાહ્ય બળ, પુન:સ્થાપક બળ (જે અણુની અંદરના આંતરિક ક્ષેત્રને લીધે લાગતાં) વડે સંતુલિત થાય છે ત્યારે સ્થાનાંતર અટકી જાય છે.
આમ, અધ્રુવીય અણુઓમાં પ્રેરિત ડાઈપોલ ચાકમાત્રા ઉદભવે છે જેને બાહ્ય ક્ષેત્ર વડે ડાઇઇલેક્ટ્રિક ધ્રુવીભૂત થયો કહેવાય.
રેખીય સમદિગ્ધર્મી ડાઇઈલેક્ટ્રિક : "બાહ્ય ક્ષેત્રમાં મૂકેલાં અધ્રુવીય અણુંમાં જ્યારે પ્રેરિત ડાઈપોલ ચાકમાત્રા વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશામાં હોય અને ક્ષેત્રની તીવ્રતાના સમપ્રમાણમાં હોય તો તેને રેખીય સમદિગ્ધર્મી ડાઈઇલેક્ટ્રિક કહે છે."
બાહ્ય ક્ષેત્રની હાજરીમાં જુદા જુદા અણુઓની ડાઈપોલ ચાકમાત્રાઓનો સરવાળો કરવાથી ડાઈઈલેક્ટ્રિકની ચોખ્ખી $(Net)$ ડાઈપોલ ચાકમાત્રા મળે છે.
કેપેસિટરને બેટરી દ્વારા જોડીને ચાર્જકરવામાં આવે છે.હવે બેટરી દૂર કરીને ડાઇઇલેકિટ્રક દાખલ કરતાં
પારના $64$ સૂક્ષ્મ ટીપાંઓ કે જે દરેકની ત્રિજ્યા $'r'$ અને વિદ્યુતભાર $q$ ભેગા મળીને એક અને મોટા મોટું ટીપું બનાવે છે. દરેક સૂક્ષ્મ ટીપાના વિદ્યુતભારની પૃષ્ઠ ઘનતાનો ગુણોત્તર ........ છે.
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરના કેપેસિટન્સ પર ડાઇઇલેક્ટ્રિકની અસર સમજાવો અને ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું સૂત્ર લખો.
ધ્રુવીભવનનું પ્રમાણ શેના પર આધારિત છે ?
$A$ જેટલો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ, પ્લેટો વચ્યેનું અંતર $d =2 \,m$ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ સંધારકની સંધારકતા $4 \,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અડધા વિસ્તારને $K =3$ જેટલો ડાયઈલેકટ્રીક ધરાવતા અવાહક માધ્યમથી ભરવામાં આવે (આફૃતિ જુઓ) તો આ તંત્રની નવી સંધારકતા ......... $ \mu F$ થશે.