કેપેસિટરને $V$ વૉલ્ટની બેટરી સાથે જોડેલ છે,તેના ડાઇઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $k$ ધરાવતું માધ્યમ કેપેસીટરમાં દાખલ કરતાં કેપેસિટરમાં દાખલ કરતા કેપેસિટર પર નવો વિદ્યુતભાર .....

સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ નથી પરતું તેમની વચ્ચેનું અંતર $0.4 \,cm$ છે તેનું કેપેસીટન્સ $2\,\mu \,F$ છે. હવે બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ઘટાડીને અડધું અને તેમની વચ્ચે $2.8$ ડાઈઇલેક્ટ્રિકનું મૂલ્ય ધરાવતો પદાર્થ મૂકવામાં આવે તો તેનું નવું કેપેસીટન્સ કેટલા $\mu \,F$ મળે?

શા માટે કોઈ ધાતુનો કેપેસિટરમાં ડાઈ-ઈલેકટ્રીક તરીકે ઉપયોગ કરી શકાતો નથી ?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.05\, m$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3 \times 10^4\,V/m$ મુલ્યનું વિ. ક્ષેત્ર સ્થાપિત કરવામાં આવે છે. તેને બેટરીથી દૂર કરી અને એક $0.01 \,m$ જાડાઈની ધાતુની અવિદ્યુતભારિત પ્લેટને (કેપેસિટર) દાખલ કરવામાં આવે છે. તો જો ધાતુની પ્લેટને બદલે $K = 2$ ડાઈ-ઈલેકટ્રીક અચળાંકની પ્લેટને મુકવામાં આવે તો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા.....$kV$  હશે ?

$A$ પ્લેટના ક્ષેત્રફળ તથા $d$ તકતી વચ્યેનું અલગીકરણ દર્શાવતા એક સમાંતર તકતી વાળા સંગ્રાહકમાં $K=4$ પરાવિદ્યુતાંક ધરાવતા પરાવિદ્યુત વસ્તુ ભરેલી છે. પરાવિદ્યુત વસ્તુની જાડાઈ $x$ છે, જ્યા $x < d$.

ધારો કે $C _1$ અને $C _2$ એ તંત્રની સંગ્રાહકતા $x=\frac{1}{3} d$ અને $x=\frac{2 d}{3}$ માટે અનુક્રમે છે. જો $C _1=2 \mu F$ તો $C _2$ કિમત $........\mu F$ છે.

$A$ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય,એવા કેપેસિટરમાં $t$ જાડાઇનું અને $k$ ડાઇઇલેકિટ્રક દાખલ કરતાં નવો કેપેસિટન્સ કેટલો થાય?