$10 \mu \mathrm{F}$ સંધારકતા ધરાવતા અને જેમની બે પ્લેટો હવામાં $10 \mathrm{~mm}$ અંતરે રહેલી હોય અને જેનું ક્ષેત્રફળ $4 \mathrm{~cm}^2$ હોય તેવા સંધારક (કેપેસીટર)માં અનુક્રમે $K_1=2$ અને $K_2=3$ ડાયઈલેકટ્રીક અચળાiક ધરાવતા બે ડાયઈલેકટ્રીક માધ્યમોને સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે, આકૃતિ જુઓ. જો બે પ્લેટો વચ્ચેનું નવું બળ $8 \mathrm{~N}$ હોય તો ઉદગમ (supply) વોલ્ટેજ. . . . . . $\mathrm{V}$ હશે.
$50$
$80$
$60$
$30$
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$ અને પહોળાઈ $w$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડેલ છે. $d$ જાડાઈ અને $k =4$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો એક સ્લેબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે સ્લેબને પ્લેટની અંદર કેટલી લંબાઈ સુધી દાખલ કરવો જોઈએ કે જેથી કેપેસીટરમાં સંગ્રહ પામતી ઉર્જા શરૂઆતની સંગ્રહિત ઉર્જા કરતાં બમણી થાય?
બે પ્લેટ વચ્ચે $5 \mathrm{~mm}$ અંતર ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને બેટરી વડે ચાર્જ કરવામાં આવે છે. આ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચચે $2 \mathrm{~mm}$ જાડાઈનો ડાયઈલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે ત્યારે કેપેસીટર બેટરી માંથી $25 \%$ જેટલો વધારાનો વિદ્યુતભાર મેળવે છે. તો આ ડાયઈલેકક્ટ્રીક સ્લેબનો ડાયઈલેકિટ્રિક અચળાંક.........
ધ્રુવીય અને અઘુવીય અણુઓ કોને કહે છે ? તેમના ઉદાહરણ આપો.
કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે એલ્યુમિનિયમ પાતળી શીટ વચ્ચે મુકવામાં આવેલ છે, તો કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ
ચોરસ પ્લેટના એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર પરાવૈદ્યુત દ્રવ્ય કે જેમના પરાવૈદ્યુતાંક $K_1, K_2,K_3, K_4$ છે. તેમનાથી આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરેલ છે. અસરકારક પરાવૈધૃતાંક $K$ _____ હશે.