પ્રકાશના કિરણને $E=800 \sin \omega\left(t-\frac{x}{c}\right)$ મુજબ દર્શાવવામાં આવે છે. એક ઇલેક્ટ્રોનને $3 \times 10^{7}$ ${ms}^{-1}$ ની ઝડપથી આ પ્રકાશના કિરણને લંબરૂપે દાખલ કરવામાં આવે તો ઇલેક્ટ્રોન પર મહત્તમ કેટલું ચુંબકીય બળ લાગશે?

નીચેના પૈકી .....વિધાન સાચું છે.

“વિધુતચુંબકીય તરંગોમાં વિધુતક્ષેત્ર એ વિકિરણ દબાણમાં ફાળો આપતું નથી તેમ છતાં વિધુતક્ષેત્ર $E$ માં વિધુતભારિત કણ પર $qE$ જેટલું બળ લગાડે છે.” આ વિધાન સમજાવો. 

બિંદુવત વિદ્યુત ચુંબકીય વિકિરણનો સ્ત્રોત સરેરાશ $800W$ નો આઉટપુટ પાવર આપે છે. સ્ત્રોતથી $3.5 m $ અંતરે વિદ્યુત ચુંબકીય ક્ષેત્રની મહત્તમ કિંમત શોધો.

શૂન્યાવકાશમાં $z-$ દિશામાં ગતિ કરતું વિધુતચુંબકીય તરંગ $\vec E = {E_0}\,\,\sin (kz - \omega t)\hat i$ અને $\vec B = {B_0}\,\,\sin (kz - \omega t)\hat j$ છે, તો

$(i)$ આકૃતિમાં દશવિલ $1234$ ચોરસ લૂપ પર $\int {\vec E.\overrightarrow {dl} } $ નું મૂલ્યાંકન કરો.

$(ii)$ $1234$ ચોરસ લૂપ સિમિત સપાટી પર $\int {\vec B} .\overrightarrow {ds} $ નું મૂલ્યાંકન કરો.

$(iii)$ $\int {\vec E.\overrightarrow {dl}  =  - \frac{{d{\phi _E}}}{{dt}}} $ નો ઉપયોગ કરી $\frac{{{E_0}}}{{{B_0}}} = c$ સાબિત કરો.

$(iv)$ ના જેવીજ પ્રક્રિયા અને સમીકરણની મદદથી અને $\int {\vec B} .\overrightarrow {dl}  = {\mu _0}I + { \in _0}\frac{{d{\phi _E}}}{{dt}}$ પરથી  $c = \frac{1}{{\sqrt {{\mu _0}{ \in _0}} }}$ સાબિત કરો.

પુસ્તકમાં વિદ્યુતચુંબકીય વર્ણપટના જુદા જુદા ભાગની શબ્દાવલિ $(Terminology)$ આપેલ છે. $E = hv$ (વિકિરણનો ઊર્જા-જથ્થો ફોટોન માટે)નો ઉપયોગ કરી વિદ્યુતચુંબકીય વર્ણપટના જુદા જુદા ભાગની ફોટોન ઊર્જા $eV$ એકમમાં મેળવો. તમે જે આ જુદા જુદા ક્રમની ફોટોન-ઊર્જા મેળવો છો તે કેવી રીતે વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણના જુદા-જુદા સ્રોત સાથે સંબંધ ધરાવે છે ?