એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના $A$ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટ એકબીજાથી $d$ જેટલા અંતરથી અલગ કરેલ છે. $\frac A2$ક્ષેત્રફળ અને $\frac d2$ જાડાઈ ધરાવતા બે ${K}_{1}$ અને ${K}_{2}$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા સ્લેબને પ્લેટો વચ્ચે જગ્યામાં દાખલ કરવામાં આવે છે. તો આ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું થશે?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના $A$ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટ એકબીજાથી $d$ જેટલા અંતરથી અલગ કરેલ છે. $\frac A2$ક્ષેત્રફળ અને $\frac d2$ જાડાઈ ધરાવતા બે ${K}_{1}$ અને ${K}_{2}$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા સ્લેબને પ્લેટો વચ્ચે જગ્યામાં દાખલ કરવામાં આવે છે. તો આ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું થશે?
- [JEE MAIN 2021]
- A
$\frac{\varepsilon_{0} {A}}{{d}}\left(\frac{1}{2}+\frac{{K}_{1} {K}_{2}}{{K}_{1}+{K}_{2}}\right)$
- B
$\frac{\varepsilon_{0} {A}}{{d}}\left(\frac{1}{2}+\frac{{K}_{1} {K}_{2}}{2\left({K}_{1}+{K}_{2}\right)}\right)$
- C
$\frac{\varepsilon_{0} {A}}{{d}}\left(\frac{1}{2}+\frac{{K}_{1}+{K}_{2}}{{K}_{1} {K}_{2}}\right)$
- D
$\frac{\varepsilon_{0} {A}}{{d}}\left(\frac{1}{2}+\frac{2\left({K}_{1}+{K}_{2}\right)}{{K}_{1} {K}_{2}}\right)$
Similar Questions
$a$ બાજુવાળી ચોરસ પ્લેટોને $d$ અંતરે રાખી એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે $(d < < a)$ અને આકૃતિમાં બતાવ્યા પ્રમાણે અવાહક એવી રીતે ભરવામાં આવે છે કે જેથી નીચેનો ત્રિકોણ $K$ જેટલા પરાવૈદ્યુતાંક $(dialectric)$ ધરાવતા અવાહકથી ભરેલો છે. આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ __________ છે.
$a$ બાજુવાળી ચોરસ પ્લેટોને $d$ અંતરે રાખી એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે $(d < < a)$ અને આકૃતિમાં બતાવ્યા પ્રમાણે અવાહક એવી રીતે ભરવામાં આવે છે કે જેથી નીચેનો ત્રિકોણ $K$ જેટલા પરાવૈદ્યુતાંક $(dialectric)$ ધરાવતા અવાહકથી ભરેલો છે. આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ __________ છે.
- [JEE MAIN 2019]
સમાન વિધુતક્ષેત્રમાં ઘુવીય અણુનું ધ્રુવીભવન સમજાવો.
સમાન વિધુતક્ષેત્રમાં ઘુવીય અણુનું ધ્રુવીભવન સમજાવો.
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $K$ છે. કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C$ છે અને તેને $V$ વોલ્ટેજ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચેથી ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્ય ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને પછી ફરીથી ભરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન તંત્ર દ્વારા થતું પરિણામી કાર્ય કેટલું હશે?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $K$ છે. કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C$ છે અને તેને $V$ વોલ્ટેજ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચેથી ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્ય ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને પછી ફરીથી ભરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન તંત્ર દ્વારા થતું પરિણામી કાર્ય કેટલું હશે?
- [AIEEE 2007]
એક સમાંતર પ્લેટ કે પેસિટરનું ક્ષેત્રફળ $6\, cm^2$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3\,mm$ છે. $K_1 =10, K_2 =12, K_3 =14$ જેટલો પરાવૈધૃતાંક (ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક) ધરાવતા અને સમાન જાડાઇ ધરાવતા અવાહક પદાર્થની મદદથી બે પ્લેટો વચ્ચેના ગેપને ભરવામાં આવે છે (આકૃતિ જુઓ). જ્યારે અવાહકને પૂર્ણ તરીકે કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે અને જો સમાન કેપેસિન્ટસ (સંઘારક્તા) મળે તો પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે.
એક સમાંતર પ્લેટ કે પેસિટરનું ક્ષેત્રફળ $6\, cm^2$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3\,mm$ છે. $K_1 =10, K_2 =12, K_3 =14$ જેટલો પરાવૈધૃતાંક (ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક) ધરાવતા અને સમાન જાડાઇ ધરાવતા અવાહક પદાર્થની મદદથી બે પ્લેટો વચ્ચેના ગેપને ભરવામાં આવે છે (આકૃતિ જુઓ). જ્યારે અવાહકને પૂર્ણ તરીકે કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે અને જો સમાન કેપેસિન્ટસ (સંઘારક્તા) મળે તો પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે.
- [JEE MAIN 2019]
ગોળાકાર કેપેસિટરની ત્રિજ્યાઓ $0.5\, m$ અને $0.6\, m$ છે. જો ખાલી જગ્યાને $6$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંકના માધ્યમથી ભરવામાં આવે તો, કેપેસિટરની કેપેસિટિ કેટલી હશે ?
ગોળાકાર કેપેસિટરની ત્રિજ્યાઓ $0.5\, m$ અને $0.6\, m$ છે. જો ખાલી જગ્યાને $6$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંકના માધ્યમથી ભરવામાં આવે તો, કેપેસિટરની કેપેસિટિ કેટલી હશે ?