સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ , પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્ય કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C_0$ છે. તેમાંથી ત્રીજા ભાગનું દ્રવ્ય $2K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્ય વડે બદલવામાં આવે છે, કે જેથી તેમાં પરિણામી બે કેપેસીટર એક $\frac{1}{3}\,A$ ક્ષેત્રફળવાળો ,જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક  $2K$ અને બીજો $\frac{2}{3}\,A$ ક્ષેત્રફળવાળો ,જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ થાય.જો નવા કેપેસીટરનો કેપેસીટન્સ $C$ હોય તો $\frac{C}{{{C_0}}}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના $A$ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટ એકબીજાથી $d$ જેટલા અંતરથી અલગ કરેલ છે. $\frac A2$ક્ષેત્રફળ અને $\frac d2$ જાડાઈ ધરાવતા બે ${K}_{1}$ અને ${K}_{2}$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા સ્લેબને પ્લેટો વચ્ચે જગ્યામાં દાખલ કરવામાં આવે છે. તો આ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું થશે?

સમાંતર પ્લેટ કૅપેસિટરમાં ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંકવાળું માધ્યમ ભરતાં તેનું કૅપેસિટન્સ જણાવો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A,$ તેનું કેપેસિટન્સ $C$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે.જેમાં $K_1,K_2,K_3$ અને $K_4$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ચાર ડાઇઇલેકિટ્રકોના આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરેલાં છે.જો કોઇ એક જ ડાઇઇલેકિટ્રક પદાર્થને વાપરતાં તેટલું જ કેપેસિટન્સ $ C$ મળે,તો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $ K=$ ________

ડાઇઇલેક્ટ્રિક ચોસલાને સમાન વિધુતક્ષેત્રમાં મૂકતાં તેની સપાટી પર વિદ્યુતભારની પૃષ્ઠ ઘનતા કોના લીધે ઉત્પન્ન થાય છે? તે સમજાવો . 

$A$ ક્ષેત્રફળ અને બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર આપેલ છે તેમાં સમાન ક્ષેત્રફળ ધરાવતા અને $\frac{d}{2}$ જેટલી જાડાઈ અને ડાઈ ઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $K = 4$ ધરાવતો સ્લેબ દાખલ કરતાં મળતા નવા કેપેસિટન્સ અને જૂના કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર શોધો.