સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ , પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્ય કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C_0$ છે. તેમાંથી ત્રીજા ભાગનું દ્રવ્ય $2K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્ય વડે બદલવામાં આવે છે, કે જેથી તેમાં પરિણામી બે કેપેસીટર એક $\frac{1}{3}\,A$ ક્ષેત્રફળવાળો ,જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $2K$ અને બીજો $\frac{2}{3}\,A$ ક્ષેત્રફળવાળો ,જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ થાય.જો નવા કેપેસીટરનો કેપેસીટન્સ $C$ હોય તો $\frac{C}{{{C_0}}}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?
$1$
$\frac{4}{3}$
$\frac{2}{3}$
$\frac{1}{3}$
$200 \,\mu {F}$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $200 \, {V} $ ની બેટરી સાથે જોડેલ છે. બેટરીને જોડેલી રાખીને $2$ ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાઈઈલેક્ટ્રિકને બે પ્લેટ વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરની વિદ્યુતઊર્જામાં થતો ફેરફાર ($J$ માં) કેટલો હશે?
જો ${q}_{{f}}$ એ કેપેસિટર પ્લેટો પરનો મુક્ત વિદ્યુતભાર અને ${q}_{{b}}$ એ કેપેસિટર વચ્ચે મૂકવામાં આવેલા ડાઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $k$ ના ડાઇલેક્ટ્રિક ચોચલા પરનો બાઉન્ડ ચાર્જ હોય, તો બાઉન્ડ ચાર્જ $q_{b}$ ને કઈ રીતે દર્શાવાય?
બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $\frac{3}{4} d$ જાડાઈ અને $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે તો નવો કેપેસીટન્સ $(C')$ અને જૂના કેપેસીટન્સ $\left( C _{0}\right)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું થશે?
આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $K_1$ અને $K_2 (K_2 > K_1)$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા બે પાતળા ડાઇઇલેકિટ્રકોને મૂકવામાં આવેલ છે. કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતક્ષેત્રનું મૂલ્ય $E$ પ્લેટ $P$ થી અંતર $d$ સાથેનો ફેરફાર કયો ગ્રાફ યોગ્ય રીતે રજૂ કરે છે
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે કેપેસિટન્સ $9\;pF$ છે. બંને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે આ બંને પ્લેટ વસ્ચે બે ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યો ભરવામાં આવે છે. એક ડાઈઇલેક્ટ્રીક દ્રવ્યોનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $k_{1}=3$ અને અંતર $\frac{ d }{3}$ છે. જ્યારે બીજા દ્રવ્યોનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $k _{2}=6$ અને અંતર $\frac{2 d }{3}$ છે. તો આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ ($pF$ માં) હવે કેટલું થશે ?