$A$ ક્ષેત્રફળ અને બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર આપેલ છે તેમાં સમાન ક્ષેત્રફળ ધરાવતા અને $\frac{d}{2}$ જેટલી જાડાઈ અને ડાઈ ઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $K = 4$ ધરાવતો સ્લેબ દાખલ કરતાં મળતા નવા કેપેસિટન્સ અને જૂના કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર શોધો. 

જ્યારે વિદ્યુતભારીત સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ના અવકાશમાં હવાને ડાઈ ઈલેક્ટ્રીક માધ્યમ વડે બદલવામાં આવે છે. ત્યારે વિદ્યુત ક્ષેત્રની તીવ્રતા.....

સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $A$ આડછેડનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટોને એકબીજાથી $d$ અંતરે મૂકેલી છે.તેમની વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $\mathrm{k}(\mathrm{x})=\mathrm{K}(1+\alpha \mathrm{x})$ મુજબ ફરે છે. જ્યાં $\mathrm{x}$ એ એક પ્લેટથી અંતર છે.જો $(\alpha \text {d)}<<1,$ હોય તો તંત્રનું કુલ કેપેસીટન્સ ક્યાં સૂત્ર વડે આપી શકાય?

એક કેપેસિટર પાસે બે વર્તૂળાકાર પ્લેટો છે. જેઓની ત્રિજ્યા $8\ cm$ અને તેની વચ્ચેનું અંતર $1\, mm$ છે. જ્યારે આ પ્લેટોની વચ્ચે મિશ્ર ચોસલુ (ડાઈઈલેકટ્રીક અચળાંક =$ 6$) મુકવામાં આવે ત્યારે આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સની ગણતરી કરો.

$30 \pi \,cm ^{2}$ જેટલું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી અને  જેમની વચ્ચે $1 \;mm$ જેટલું અંતર હોય તેવી બે તક્તિની મદદ થી એક સમાંતર પ્લેટ સંધારક બનાવવામાં આવે છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3.6 \times 10^{7} \;Vm ^{-1}$ જેટલી ડાયઈલેક્ટ્રિક પ્રબળતતા (strength) ધરાવતું દ્રવ્ય ભરવામાં આવે છે. ડાયઈલેટ્રિક બ્રેકડાઉન ના થાય તે રીતે સંધારક ઉપર સંગ્રહ કરી શકાતો મહત્તમ વિધુતભાર જો $7 \times 10^{-6}\; C$ હોય, તો પદાર્થનો ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક મૂલ્ય........હશે.

$\left[\frac{1}{4 \pi \varepsilon_{0}}=9 \times 10^{9} Nm ^{2} C ^{-2}\right] $ નો ઉપયોગ કરો

$A$ જેટલો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ, પ્લેટો વચ્યેનું અંતર $d =2 \,m$ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ સંધારકની સંધારકતા $4 \,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અડધા વિસ્તારને $K =3$ જેટલો ડાયઈલેકટ્રીક ધરાવતા અવાહક માધ્યમથી ભરવામાં આવે (આફૃતિ જુઓ) તો આ તંત્રની નવી સંધારકતા .........  $ \mu F$ થશે.