$A$ ક્ષેત્રફળ અને બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર આપેલ છે તેમાં સમાન ક્ષેત્રફળ ધરાવતા અને $\frac{d}{2}$ જેટલી જાડાઈ અને ડાઈ ઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $K = 4$ ધરાવતો સ્લેબ દાખલ કરતાં મળતા નવા કેપેસિટન્સ અને જૂના કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર શોધો. 

ધાતુનો ડાયઈલેકટ્રીક અચળાંક ........ છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અવકાશને $K$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંકમાં પદાર્થ વડે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરેલ હોય તો કેપેસિટરનો નવો કેપેસિટન્સ શોધો.

ડાયઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $K$ ધરાવતા દ્રવ્યના એક ચોસલાનું ક્ષેત્રફળ સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટ જેટલું છે, પરંતુ તેની જાડાઈ $(3/4)d$ છે. જ્યાં, $d$ બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર છે.જ્યારે આ ચોસલાને પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે ત્યારે કેપેસીટન્સમાં કેવો ફેરફાર થાય ? 

રેખીય સમદિગ્ધર્મી ડાઇઇલેક્ટ્રિક કોને કહે છે ?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ , પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્ય કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C_0$ છે. તેમાંથી ત્રીજા ભાગનું દ્રવ્ય $2K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્ય વડે બદલવામાં આવે છે, કે જેથી તેમાં પરિણામી બે કેપેસીટર એક $\frac{1}{3}\,A$ ક્ષેત્રફળવાળો ,જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક  $2K$ અને બીજો $\frac{2}{3}\,A$ ક્ષેત્રફળવાળો ,જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ થાય.જો નવા કેપેસીટરનો કેપેસીટન્સ $C$ હોય તો $\frac{C}{{{C_0}}}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?