વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
વિધાન ખોટુ છે, કારણ સાચુ છે
વિધાન સાચુ છે, કારણ ખોટુ છે
વિધાન અને કારણ સાચા છે અને કારણ એ વિધાનનુ સાચુ સ્પષ્ટિકરણ છે
વિધાન અને કારણ સાચા છે અને કારણ એ વિધાનનુ સાચુ સ્પષ્ટિકરણ નથી
નીચેનામાંથી ક્યો ઘટક પ્રતિચુંબકીય છે ?
${{\rm{O}}_2}{\rm{,O}}_2^ + ,{\rm{O}}_2^ - $ અને ${\rm{O}}_2^{2 - }$ ની બંધ વિયોજન ઉષ્માનો ક્રમ આપો.
પરમાણ્વીય કક્ષકોનું રેખીય સંગઠન યોગ્ય ઉદાહરણથી સમજાવો.
નીચેના અણુ/આયન પૈકી ક્યો એક પ્રતિચુંબકીય છે અને સૌથી ઓછી બંધલંબાઇ ધરાવે છે ?
$C_2^{2-} ,N_2^{2-} ,O_2^{2-},O_2$
બંધ ક્રમાંક ...... માં મહત્તમ છે.