વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો. 

વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે. 

કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે . 

  • [JEE MAIN 2015]
  • A

    વિધાન ખોટુ છે, કારણ સાચુ છે   

  • B

    વિધાન સાચુ છે, કારણ ખોટુ  છે

  • C

    વિધાન અને કારણ સાચા છે અને કારણ એ વિધાનનુ સાચુ સ્પષ્ટિકરણ છે 

  • D

    વિધાન અને કારણ સાચા છે અને કારણ એ વિધાનનુ સાચુ સ્પષ્ટિકરણ નથી 

Similar Questions

નીચેનામાંથી ક્યો ઘટક પ્રતિચુંબકીય છે ? 

  • [AIEEE 2005]

${{\rm{O}}_2}{\rm{,O}}_2^ + ,{\rm{O}}_2^ - $ અને ${\rm{O}}_2^{2 - }$ ની બંધ વિયોજન ઉષ્માનો ક્રમ આપો.

પરમાણ્વીય કક્ષકોનું રેખીય સંગઠન યોગ્ય ઉદાહરણથી સમજાવો.

નીચેના અણુ/આયન પૈકી ક્યો એક પ્રતિચુંબકીય છે અને સૌથી ઓછી બંધલંબાઇ ધરાવે છે ?

 $C_2^{2-} ,N_2^{2-} ,O_2^{2-},O_2$

  • [JEE MAIN 2019]

બંધ ક્રમાંક ...... માં મહત્તમ છે.

  • [AIPMT 1994]