વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
- [JEE MAIN 2015]
- A
વિધાન ખોટુ છે, કારણ સાચુ છે
- B
વિધાન સાચુ છે, કારણ ખોટુ છે
- C
વિધાન અને કારણ સાચા છે અને કારણ એ વિધાનનુ સાચુ સ્પષ્ટિકરણ છે
- D
વિધાન અને કારણ સાચા છે અને કારણ એ વિધાનનુ સાચુ સ્પષ્ટિકરણ નથી
Similar Questions
$1.5$ બંધક્રમાંક ........ દ્વારા દર્શાવાય છે.
$1.5$ બંધક્રમાંક ........ દ્વારા દર્શાવાય છે.
- [AIPMT 2012]
નીચેના પૈકી પ્રક્રિયામાં ક્રમમાં બંધક્રમાંક વધે છે અને અનુચુંબકીય લાક્ષણિકતા પ્રતિચુંબકીયમાં બદલાઈ જાય છે ?
નીચેના પૈકી પ્રક્રિયામાં ક્રમમાં બંધક્રમાંક વધે છે અને અનુચુંબકીય લાક્ષણિકતા પ્રતિચુંબકીયમાં બદલાઈ જાય છે ?
- [JEE MAIN 2019]
સૌથી વધુ બંધ ક્રમાંક ધરાવતો ઘટક નીચેનામાંથી ક્યો છે?
સૌથી વધુ બંધ ક્રમાંક ધરાવતો ઘટક નીચેનામાંથી ક્યો છે?
નીચેના પૈકી ક્યો અણુ ઋણાયનના સર્જન દ્વારા સ્થાયી બનવાની અપેક્ષા રાખી શકાય ?
$C_2 , O_2 , NO , F_2$
નીચેના પૈકી ક્યો અણુ ઋણાયનના સર્જન દ્વારા સ્થાયી બનવાની અપેક્ષા રાખી શકાય ?
$C_2 , O_2 , NO , F_2$
- [JEE MAIN 2019]
$O_2^ - $ નો બંધક્રમાંક કેટલો હશે?
$O_2^ - $ નો બંધક્રમાંક કેટલો હશે?