- Home
- Standard 11
- Chemistry
4.Chemical Bonding and Molecular Structure
hard
વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
A
વિધાન ખોટુ છે, કારણ સાચુ છે
B
વિધાન સાચુ છે, કારણ ખોટુ છે
C
વિધાન અને કારણ સાચા છે અને કારણ એ વિધાનનુ સાચુ સ્પષ્ટિકરણ છે
D
વિધાન અને કારણ સાચા છે અને કારણ એ વિધાનનુ સાચુ સ્પષ્ટિકરણ નથી
(JEE MAIN-2015)
Solution
Assertion is correct but reason is incorrect. Bonding $MO$ shows constructive interference of the combining electron oxide waves.
Standard 11
Chemistry
