બોરોન $\left( {{{\rm{B}}_2}} \right)$ અણુની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના, બંધમાંક, ચુંબકીય ગુણો તથા ઊર્જા આલેખ આપી તેના અસ્તિત્વ વિશે લખો.
$B _{2}( Z =5) 1 s^{2} 2 s^{2} 2 p^{1}$ છે. જેથી $B _{2}$ માં કુલ ઈલેક્ટ્રોન $=10$
$B _{2}$ ની બાહ્યતમ કક્ષામાં $3$ ઇલેક્ટ્રોન હોવાથી $B _{2}$ ની $MO$ માં આ $6$ બાહ્ય ઇલેક્ટ્રોનથી $MO$ માં ઇલેક્ટ્રોનીનીય રચના આ પ્રમાણે : $KK$ $\left(\sigma_{2 s}\right)^{2}\left(\sigma_{2 s}^{*}\right)^{2}\left(\pi_{2 p_{x}}\right)^{1}\left(\pi_{2 p_{y}}\right)^{1}$
(કારણ કે $B _{2}$ માં $\pi_{2 p}<\sigma_{2 p_{z}}$ )
બંધક્રમાંક $=\frac{1}{2}\left( N _{ b }- N _{ a }\right)=\frac{1}{2}(4-2)=1$
$B _{2}$ માં બે અયુગ્મ ઇલેક્ટ્રોન હોવાથી અનુયુંબકીય છે અને તેમાં એકબંધ હોવાથી સ્થાયી છે. બંધલંબાઈ $B - B (159\,pm)$ અને $B$ $_{2}$ ની બંધઊર્જા $290\,kJ\,mol ^{-1}$ છે.
$B _{2}$ અણુની રચના $MO$ અને ઊર્જા આલેખ નીચે મુજબ છે.
નીચેના પૈકી ક્યો અણુ ઋણાયનના સર્જન દ્વારા સ્થાયી બનવાની અપેક્ષા રાખી શકાય ?
$C_2 , O_2 , NO , F_2$
વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
${\rm{L}}{{\rm{i}}_2}$ થી ${{\rm{N}}_2}$ સુધીના દ્ધિપરમાણુક અણુ અને ${{\rm{O}}_2}$ થી ${\rm{N}}{{\rm{e}}_2}$ સુધીના અણુઓની $\mathrm{MO}$ ના શક્તિ સ્તરમાં શું તફાવત છે
${\rm{O}}_2^ - $ અને ${\rm{O}}_2^{2 - }$ માંથી કયામાં બંધા ક્રમાંક વધારે હશે ?
$O _{2}$ થી $O _{2}^{-}$ ના પરિવર્તન દરમિયાન આવતા ઇલેક્ટ્રોન કઈ ભ્રમણકક્ષામાં જાય છે: