જો ${q}_{{f}}$ એ કેપેસિટર પ્લેટો પરનો મુક્ત વિદ્યુતભાર અને ${q}_{{b}}$ એ કેપેસિટર વચ્ચે મૂકવામાં આવેલા ડાઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $k$ ના ડાઇલેક્ટ્રિક ચોચલા પરનો બાઉન્ડ ચાર્જ હોય, તો બાઉન્ડ ચાર્જ $q_{b}$ ને કઈ રીતે દર્શાવાય?

$K$ જેટલો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક  ધરાવતા ડાઈઈલેક્ટ્રીક ને એક $q$ જેટલો ચાર્જ ધરાવતા કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. બે પ્લેટો વચ્ચે ઉત્પન્ન થયેલો પ્રેરિત ચાર્જ $q^{\prime}$ કયા સુત્રથી મળે?

જ્યારે સમાંતર પ્લેટ વચ્યે $d$ જાડાઈનું હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $5\,\mu\,F$ છે. આ બંને પ્લેટ વચ્યે $1.5$ ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક અને પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું ક્ષેત્રફળ પણ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતો પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો સ્લેબની હાજરી કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થાય.

જ્યારે વિદ્યુતભારીત સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ના અવકાશમાં હવાને ડાઈ ઈલેક્ટ્રીક માધ્યમ વડે બદલવામાં આવે છે. ત્યારે વિદ્યુત ક્ષેત્રની તીવ્રતા.....

$C$ કેપેસિટન્સવાળા હવાના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $ V. emf $ વાળી બેટરી સાથે જોડીને પછી છૂટું પાડવામાં આવે છે.$K $  ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ડાઇઇલેકિટ્રક સ્લેબને સંપૂર્ણ રીતે કેપેસિટરમાં ભરવામાં આવે છે.તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

$a$ બાજુવાળી ચોરસ પ્લેટોને $d$ અંતરે રાખી એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે $(d < < a)$ અને આકૃતિમાં બતાવ્યા પ્રમાણે અવાહક એવી રીતે ભરવામાં આવે છે કે જેથી નીચેનો ત્રિકોણ $K$ જેટલા પરાવૈદ્યુતાંક $(dialectric)$ ધરાવતા અવાહકથી ભરેલો છે. આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ __________ છે.