જો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સનું મૂલ્ય મોટું હોય તો શું થાય અને બ્રેકડાઉન તથા ડાઇઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થની વ્યાખ્યાઓ લખો.
જો કૅપેસિટરનું કૅપેસિટન્સનું મૂલ્ય મોટું હોય તો આપેલા વિદ્યુતભાર માટે સ્થિતિમાનનો તફાવત $V$ નું મૂલ્ય નાનું મળે. $\left[\right.$ કારણ કે $\left.C =\frac{ Q }{ V }\right]$
આનો અર્થ એ થાય કે મોટો કૅપેસિટન્સ ધરાવતું કૅપેસિટર પ્રમાણમાં નાના સ્થિતિમાનના તફાવત માટે મોટા જથ્થાનો વિદ્યુતભાર ધારણ કરી શકે.
જે વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત મોટો હોય તો કેપેસિટરોની સુવાહક પ્લેટોની આસપાસ પ્રબળ વિદ્યુતક્ષેત્ર હોય છે. પ્રબળ વિદ્યુતક્ષેત્ર આસપાસની હવાનું આયનીકરણ કરી શકે છે. આ રીતે ઉત્પન્ન થયેલા વિદ્યુતભારો, વિરુધ્ધ રીતે વિદ્યુતભારિત પ્લેટો તરફ પ્રવેગિત થાય છે અને કૅપેસિટરની પ્લેટો પરના વિદ્યુતભારને અંશતઃ તટસ્થ કરી દે છે.
કૅપેસિટરની એક પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર અવાહક માધ્યમમાંથી પસાર થઈ (લીક થઈ)ને બીજ પ્લેટ પર પહોંચે છે તેથી કૅપેસિટર નકામું બને છે.
સુવાહકના પૃષ્ઠ પર જો વિદ્યુતભારની સંખ્યા ધણી મોટી હોય તો તે ભાગ પાસે વિદ્યુતક્ષેત્ર પ્રબળ હોય છે. તેથી, પૃષ્ઠ પરના ઈલેક્ટ્રોન તેમને સુવાહક સાથે જકડી રાખતા બળોનો સામનો કરીને પૃષ્ઠ પરથી છટકી જય. આ ધટનાને ડાઈઇલેક્ટ્રિક બ્રેકડાઉન કહે છે અને તેને કોરોના ડિસ્ચાર્જ પણ કહે છે.
ડાઇઈલેક્ટ્રિક માધ્યમ બ્રેકડાઉન થયા સિવાય જે મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્રનો સામનો કરી શકે તેને ડાઈઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ કહે છે.
હવા માટે ડાઇઈલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થનું મૂલ્ય લગભગ $3 \times 10^{6} V / m$ છે અને વિદ્યુતક્ષેત્રના આ મૂલ્ય માટે કુપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $3 \times 10^{4} V$ છે.
જે વિદ્યુતભાર લીક થયા સિવાય કૅપેસિટરની પ્લેટો પર મોટો જથ્યો ધારણ કરવા માટે કૅપેસિટરનું કૅપેસિટન્સ પૂરતું મોટો હોવું જોઈએ.
સાદા લોલકને બે પ્લેટ વચ્ચે આવર્તકાળ $T_o$ છે.હવે,પ્લેટને વિદ્યુતભારિત કરતાં આવર્તકાળ $T$ છે.તો $\frac{T}{T_o}=$
એક વાહકને જ્યારે $5\, V$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ત્યારે $50\ \mu C$ તે નો વિદ્યુતભાર મેળવે છે. તો વાહકનું કેપેસિટન્ટ .......$\mu F$ ગણો.
ગોળીય કવચ કેપેસિટરની બહારની ત્રિજયા $R$ છે.બહારની અને અંદરની ત્રિજયાનો તફાવત $x$ છે.તો તેનું કેપેસિટન્સ કોના સપ્રમાણમાં હોય?
કાળજીપૂર્વક ઉત્તર આપોઃ
$(a)$ બે મોટા $Q _{1}$ અને $Q _{2}$ વિદ્યુતભાર ધરાવતા સુવાહક ગોળાઓ એકબીજાની નજીક લાવવામાં આવે છે. તેમની વચ્ચેનું સ્થિતિવિદ્યુતબળ સચોટતાથી $Q _{1} Q _{2} / 4 \pi \varepsilon_{0} r^{2}$ વડે અપાય છે, જ્યાં,r તેમનાં કેન્દ્રો વચ્ચેનું અંતર છે?
$(b)$ જો કુલંબનો નિયમ ( $1 / r^{3}$ ને બદલે ) $1 / r^{3}$ પર આધારિત હોત તો પણ શું ગૉસનો નિયમ સાચો રહેત?
$(c)$ એક સ્થિત વિદ્યુતક્ષેત્ર સંરચનામાં એક નાના પરિક્ષણ વિદ્યુતભારને સ્થિર સ્થિતિમાંથી મુક્ત કરવામાં આવે છે. તે વિદ્યુતભાર, તે બિંદુમાંથી પસાર થતી ક્ષેત્રરેખા પર ગતિ કરવા લાગશે?
$(d)$ ન્યુક્લિયસના ક્ષેત્ર વડે ઇલેક્ટ્રોનની પૂર્ણ વર્તુળાકાર કક્ષા દરમિયાન કેટલું કાર્ય થયું હશે? જો કક્ષા લંબવૃત્તિય $(Elliptical)$ હોય તો શું?
$(e)$ આપણે જાણીએ છીએ કે વિદ્યુતભારિત સુવાહકની સપાટીની આરપાર $(Across)$ વિદ્યુતક્ષેત્ર અસતત હોય છે. શું ત્યાં વિદ્યુત સ્થિતિમાન પણ અસતત હોય છે?
$(f)$ એકલ ( એકાકી, $Single$ ) સુવાહકના કેપેસીટન્સનો તમે શું અર્થ કરશો?
$(g)$ પાણીનો ડાયઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $(= 80)$ એ માઇકા $(= 6)$ કરતાં ઘણો મોટો હોવાના શક્ય કારણનું અનુમાન કરો.
એક નળાકારીય કેપેસિટર પાસે $1.4\,cm$ અને $1.5 \,cm$ ત્રિજ્યાના અને $15\,cm$ લંબાઈ ધરાવતા બે નળાકારો છે. બાહ્ય નળાકારને જમીન સાથે જોડેલ છે. અને અંદરના નળાકારને $3.5\ \mu C$ નો વિદ્યુતભાર આપેલ છે. તંત્રનો કેપેસિટન્સ અને અંદરના નળાકારનો સ્થિતિમાન અનુક્રમે. . . . . .