$Q$ વિદ્યુતભાર ધરાવતા પદાર્થના ${Q_1}$ અને ${Q_2}$ ભાગ પાડવામાં આવે છે,આપેલા $R$ અંતર માટે બળ મહત્તમ કરવા માટે...
$Q$ વિદ્યુતભાર ધરાવતા પદાર્થના ${Q_1}$ અને ${Q_2}$ ભાગ પાડવામાં આવે છે,આપેલા $R$ અંતર માટે બળ મહત્તમ કરવા માટે...
- A
${Q_2} = \frac{Q}{R},{Q_1} = Q - \frac{Q}{R}$
- B
${Q_2} = \frac{Q}{4},{Q_1} = Q - \frac{{2Q}}{3}$
- C
${Q_2} = \frac{Q}{4},{Q_1} = \frac{{3Q}}{4}$
- D
${Q_1} = \frac{Q}{2},{Q_2} = \frac{Q}{2}$
Similar Questions
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી વડે સંપૂર્ણ ચાર્જ કરતાં બે પ્લેટ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત બેટરીના વિદ્યુતચાલક બળ જેટલો થાય છે,તો કેપેસિટરમાં સંગૃહીત ઊર્જા અને બેટરી વડે થતાં કાર્યનો ગુણોત્તર _______ થશે.
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી વડે સંપૂર્ણ ચાર્જ કરતાં બે પ્લેટ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત બેટરીના વિદ્યુતચાલક બળ જેટલો થાય છે,તો કેપેસિટરમાં સંગૃહીત ઊર્જા અને બેટરી વડે થતાં કાર્યનો ગુણોત્તર _______ થશે.
આપેલ આકૃતિ માટે વિદ્યુતક્ષેત્રનું મૂલ્ય ......... $ V/m$ થાય.
આપેલ આકૃતિ માટે વિદ્યુતક્ષેત્રનું મૂલ્ય ......... $ V/m$ થાય.
$α -$ કણનો વિધુતભાર……..થાય.
$α -$ કણનો વિધુતભાર……..થાય.
બે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેઓની કેપેસિટી અનુક્રમે $C$ અને $2\, C$ છે. તેઓને સમાંતરમાં જોડેલા છે. આ કેપેસિટરોને $V$ સ્થિતિમાન તફાવતે વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે, જો બેટરીને દૂર કરી અને $C$ કેપેસિટન્સ વાળા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $K$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંક વાળા ડાય-ઈલેકટ્રીકને ભરવામાં આવે તો દરેક કેપેસિટર વચ્ચેનો વિદ્યુત સ્થિતિમાન તફાવત શોધો.
બે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેઓની કેપેસિટી અનુક્રમે $C$ અને $2\, C$ છે. તેઓને સમાંતરમાં જોડેલા છે. આ કેપેસિટરોને $V$ સ્થિતિમાન તફાવતે વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે, જો બેટરીને દૂર કરી અને $C$ કેપેસિટન્સ વાળા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $K$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંક વાળા ડાય-ઈલેકટ્રીકને ભરવામાં આવે તો દરેક કેપેસિટર વચ્ચેનો વિદ્યુત સ્થિતિમાન તફાવત શોધો.
ગાઉસનો ગુરૂત્વાકર્ષણનો નિયમ....
ગાઉસનો ગુરૂત્વાકર્ષણનો નિયમ....