હવા માધ્યમ ધરાવતા એક સમાંતર બાજુ કેપેસીટરનો કેપેસીટન્સ $6\, \mu F$. છે એક ડાયઈલેક્ટ્રિક માધ્યમ ઉમેરતા આ કેપેસીટન્સ $30\, \mu F$ થાય છે આ માધ્યમની પરમિટિવિટી .......... $C ^{2} N ^{-1} m ^{-2}$ થાય 

$\left(\varepsilon_{0}=8.85 \times 10^{-12} C ^{2} N ^{-1} m ^{-2}\right)$

સમાન વિધુતક્ષેત્રમાં અધુવીય અણુનું ધ્રુવીભવન સમજાવો અને રેખીય સમદિગ્ધર્મી ડાઇઇલેક્ટ્રિકની વ્યાખ્યા લખો.

બે હવા ભરેલા ભરેલા $C$ અને $nC$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $V$ વોલ્ટની બેટરી સાથે સમાંતરમાં જોડેલા છે.જ્યારે કેપેસીટર સંપૂર્ણ રીતે ચાર્જ થાય ત્યારે બેટરી દૂર કરીને પહેલા કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચે $K$ ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે છે.હવે આ તંત્રનો નવો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થાય?

જો સમાન કદ અને સમાન સ્થિતિમાન $V$ વાળા $n$ ટીપાંઓ મોટા ટીપામાં રૂપાંતર પામે તો મોટા ટીપાંનું સ્થિતિમાન ......... હશે.

$12.5 \mathrm{pF}$ સંધારકતા ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટર (સંધારક)ને બે પ્લેટો વચ્ચે $12.0$ વોલ્ટના સ્થિતિમાનના તફાવત સાથે એક બેટરી થકી વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને ડાયઇલેકટ્રીક યોસલા $\left(\epsilon_{\mathrm{r}}=6\right)$ ને પ્લટોની વચ્ચે સરકાવવામાં આવે છે. ડાયઇલેકટ્રીક ચોસલાને દાખલ કર્યા બાદ સ્થિતિઊર્જામાં ફેરફાર. . . . . . .$\times 10^{-12}$ $J$ હશે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $A$ સપાટીનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે પ્લેટ $d$ અંતરે છે.જેને ડાઈઇલેક્ટ્રિકથી ભરવામાં આવે છે . જેની પરમિટિવિટી એક પ્લેટ આગળ ${ \varepsilon _1}$ અને બીજી પ્લેટ આગળ ${ \varepsilon _2}$ છે તો આ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું હશે?