એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A,$ તેનું કેપેસિટન્સ $C$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે.જેમાં $K_1,K_2,K_3$ અને $K_4$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ચાર ડાઇઇલેકિટ્રકોના આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરેલાં છે.જો કોઇ એક જ ડાઇઇલેકિટ્રક પદાર્થને વાપરતાં તેટલું જ કેપેસિટન્સ $ C$ મળે,તો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $ K=$ ________
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A,$ તેનું કેપેસિટન્સ $C$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે.જેમાં $K_1,K_2,K_3$ અને $K_4$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ચાર ડાઇઇલેકિટ્રકોના આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરેલાં છે.જો કોઇ એક જ ડાઇઇલેકિટ્રક પદાર્થને વાપરતાં તેટલું જ કેપેસિટન્સ $ C$ મળે,તો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $ K=$ ________
- [NEET 2016]
- A
$\frac{2}{K} = \frac{3}{{{K_1} + {K_2} + {K_3}}} + \frac{1}{{{K_4}}}\;\;\;\;$
- B
$\;\frac{1}{K} = \frac{1}{{{K_1}}} + \frac{1}{{{K_2}}} + \frac{1}{{{K_3}}} + \frac{3}{{2{K_4}}}$
- C
$K=K_1+K_2+K_3+3K_4$
- D
$K=$ $\frac{2}{3}\left[ {{K_1} + {K_2} + {K_3}} \right] + 2{K_4}$
Similar Questions
ધ્રુવીભૂત થયેલા ડાઈઇલેક્ટ્રિકના અંદરના ભાગમાં મૂળ વિધુતક્ષેત્રમાં કેવો ફેરફાર કરે છે ?
ધ્રુવીભૂત થયેલા ડાઈઇલેક્ટ્રિકના અંદરના ભાગમાં મૂળ વિધુતક્ષેત્રમાં કેવો ફેરફાર કરે છે ?
$10 \mu \mathrm{F}$ સંધારકતા ધરાવતા અને જેમની બે પ્લેટો હવામાં $10 \mathrm{~mm}$ અંતરે રહેલી હોય અને જેનું ક્ષેત્રફળ $4 \mathrm{~cm}^2$ હોય તેવા સંધારક (કેપેસીટર)માં અનુક્રમે $K_1=2$ અને $K_2=3$ ડાયઈલેકટ્રીક અચળાiક ધરાવતા બે ડાયઈલેકટ્રીક માધ્યમોને સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે, આકૃતિ જુઓ. જો બે પ્લેટો વચ્ચેનું નવું બળ $8 \mathrm{~N}$ હોય તો ઉદગમ (supply) વોલ્ટેજ. . . . . . $\mathrm{V}$ હશે.
$10 \mu \mathrm{F}$ સંધારકતા ધરાવતા અને જેમની બે પ્લેટો હવામાં $10 \mathrm{~mm}$ અંતરે રહેલી હોય અને જેનું ક્ષેત્રફળ $4 \mathrm{~cm}^2$ હોય તેવા સંધારક (કેપેસીટર)માં અનુક્રમે $K_1=2$ અને $K_2=3$ ડાયઈલેકટ્રીક અચળાiક ધરાવતા બે ડાયઈલેકટ્રીક માધ્યમોને સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે, આકૃતિ જુઓ. જો બે પ્લેટો વચ્ચેનું નવું બળ $8 \mathrm{~N}$ હોય તો ઉદગમ (supply) વોલ્ટેજ. . . . . . $\mathrm{V}$ હશે.
- [JEE MAIN 2024]
એક સમાંતર પ્લેટ સંઘારક (કેપેસીટર) સંરચનામાં, સંઘારકની પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $2 \,m ^{2}$ અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $1\, m$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $0.5\, m$ જાડાઈ અને $2\, m ^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા (આકૃત્તિ જુઓ) ડાયઈલેક્ટ્રિક (અવાહક) પદાર્થ દ્વારા ભરવામાં આવે તો આ સંરચનાની સંઘારતા (કેપેસીટન્સ) ...... .........$\, \varepsilon_{0}$ થશે.
(પદાર્થનો ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $=3.2$) (નજીકત્તમ પૂર્ણાંકમાં ગણો)
એક સમાંતર પ્લેટ સંઘારક (કેપેસીટર) સંરચનામાં, સંઘારકની પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $2 \,m ^{2}$ અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $1\, m$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $0.5\, m$ જાડાઈ અને $2\, m ^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા (આકૃત્તિ જુઓ) ડાયઈલેક્ટ્રિક (અવાહક) પદાર્થ દ્વારા ભરવામાં આવે તો આ સંરચનાની સંઘારતા (કેપેસીટન્સ) ...... .........$\, \varepsilon_{0}$ થશે.
(પદાર્થનો ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $=3.2$) (નજીકત્તમ પૂર્ણાંકમાં ગણો)
- [JEE MAIN 2021]
જોડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંક અને ડાઈ ઈલેકટ્રીક સ્ટ્રેન્થને અનુક્રમે $k$ અને $x$ વડે દર્શાવવામાં આવે તો કેપેસિટરમાં ડાઈ ઈલેકટ્રીક તરીકે ઉપયોગ કરવા માટે યોગ્ય દ્રવ્ય પાસે શું હોવું જોઈએ ?
જોડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંક અને ડાઈ ઈલેકટ્રીક સ્ટ્રેન્થને અનુક્રમે $k$ અને $x$ વડે દર્શાવવામાં આવે તો કેપેસિટરમાં ડાઈ ઈલેકટ્રીક તરીકે ઉપયોગ કરવા માટે યોગ્ય દ્રવ્ય પાસે શું હોવું જોઈએ ?
એક સમાંતર પ્લેટો ધરાવતા સંધારકમાં પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $40\,cm ^2$ અને તેમની વચ્યેનું અંતર $2\,mm$ છે. પ્લેટો વચ્યેના વિસ્તારમાં $1\,mm$ જાડાઈ અને $5$ જેટલો ડાઈઈલેકિટ્રક અચળાંક ધરાવતો અવાહક મૂકવામાં આવે છે. તંત્રની સંધારકતા $...........$ થશે.
એક સમાંતર પ્લેટો ધરાવતા સંધારકમાં પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $40\,cm ^2$ અને તેમની વચ્યેનું અંતર $2\,mm$ છે. પ્લેટો વચ્યેના વિસ્તારમાં $1\,mm$ જાડાઈ અને $5$ જેટલો ડાઈઈલેકિટ્રક અચળાંક ધરાવતો અવાહક મૂકવામાં આવે છે. તંત્રની સંધારકતા $...........$ થશે.
- [JEE MAIN 2023]