એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$ અને પહોળાઈ $w$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડેલ છે. $d$ જાડાઈ અને $k =4$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો એક સ્લેબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે સ્લેબને પ્લેટની અંદર કેટલી લંબાઈ સુધી દાખલ કરવો જોઈએ કે જેથી કેપેસીટરમાં સંગ્રહ પામતી ઉર્જા શરૂઆતની સંગ્રહિત ઉર્જા કરતાં બમણી થાય?

સમતુલ્ય ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $k$ હોય,તો..

ચોરસ પ્લેટના એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર પરાવૈદ્યુત દ્રવ્ય કે જેમના પરાવૈદ્યુતાંક $K_1, K_2,K_3, K_4$ છે. તેમનાથી આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરેલ છે. અસરકારક પરાવૈધૃતાંક $K$ _____ હશે.

બે ડાઈઇલેક્ટ્રીક ભરેલા કેપેસીટરને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ આપેલ છે જ્યાં પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A\;metr{e^2}$ અને બે ફ્લૅટ વચ્ચેનું અંતર  $t$ $metre$ હોય તથા ડાઈઇલેક્ટ્રીક અચળાંક અનુક્રમે ${k_1}$ અને ${k_2}$ હોય તો સમતુલ્ય કેપેસીટન્સ મેળવો 

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $K$ છે. કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C$ છે અને તેને $V$ વોલ્ટેજ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચેથી ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્ય ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને પછી ફરીથી ભરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન તંત્ર દ્વારા થતું પરિણામી કાર્ય કેટલું હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પાસે $20\, kV$ સ્થિતિમાન અને $2 \times  10^{-4} \,\mu F$ કેપેસિટન્સ છે. જો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $0.01\, m^2$ હોય અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2\ mm$ હોય તો માધ્યમનું ડાઈઈલેકટ્રીક અચળાંક શોધો.