એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$ અને પહોળાઈ $w$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડેલ છે. $d$ જાડાઈ અને $k =4$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો એક સ્લેબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે સ્લેબને પ્લેટની અંદર કેટલી લંબાઈ સુધી દાખલ કરવો જોઈએ કે જેથી કેપેસીટરમાં સંગ્રહ પામતી ઉર્જા શરૂઆતની સંગ્રહિત ઉર્જા કરતાં બમણી થાય?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$ અને પહોળાઈ $w$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડેલ છે. $d$ જાડાઈ અને $k =4$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો એક સ્લેબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે સ્લેબને પ્લેટની અંદર કેટલી લંબાઈ સુધી દાખલ કરવો જોઈએ કે જેથી કેપેસીટરમાં સંગ્રહ પામતી ઉર્જા શરૂઆતની સંગ્રહિત ઉર્જા કરતાં બમણી થાય?
- [JEE MAIN 2020]
- A
$\frac{l}{4}$
- B
$\frac{l}{2}$
- C
$\frac{l}{3}$
- D
$\frac{2l}{3}$
Similar Questions
ડાઇઇલેક્ટ્રિકના પ્રકારો લખીને સમજાવો અને દરેકના ઉદાહરણ આપો.
ડાઇઇલેક્ટ્રિકના પ્રકારો લખીને સમજાવો અને દરેકના ઉદાહરણ આપો.
જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે એક ડાઈ ઈલેકટ્રીક માધ્યમના ચોસલાને મુકવામાં આવે છે જેને બેટરી સાથે જોડતા તેમાં નવો વિદ્યુતભાર .....
જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે એક ડાઈ ઈલેકટ્રીક માધ્યમના ચોસલાને મુકવામાં આવે છે જેને બેટરી સાથે જોડતા તેમાં નવો વિદ્યુતભાર .....
$100\, m ^{2}$ ક્ષેત્રફળ અને $10\, m$ બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ધરાવતાં સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર છે,તેમાં $5\,m$માં ડાઇઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $10$ ધરાવતા ડાઇઇલેક્ટ્રીક મુક્તા નવા કેપેસિટન્સ $'x'$ $pF$ હોય તો $'x'=.......$
$100\, m ^{2}$ ક્ષેત્રફળ અને $10\, m$ બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ધરાવતાં સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર છે,તેમાં $5\,m$માં ડાઇઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $10$ ધરાવતા ડાઇઇલેક્ટ્રીક મુક્તા નવા કેપેસિટન્સ $'x'$ $pF$ હોય તો $'x'=.......$
- [JEE MAIN 2021]
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $K$ છે. કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C$ છે અને તેને $V$ વોલ્ટેજ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચેથી ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્ય ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને પછી ફરીથી ભરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન તંત્ર દ્વારા થતું પરિણામી કાર્ય કેટલું હશે?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $K$ છે. કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C$ છે અને તેને $V$ વોલ્ટેજ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચેથી ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્ય ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને પછી ફરીથી ભરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન તંત્ર દ્વારા થતું પરિણામી કાર્ય કેટલું હશે?
- [AIEEE 2007]
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતરઅડધું કરી પ્લેટો વચ્ચેનો વિસ્તાર ડાઈઈલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરી દેવામાં આવે છે. જો નવું કેસેસિટન્સ $3C$ હોય તો માધ્યમનો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતરઅડધું કરી પ્લેટો વચ્ચેનો વિસ્તાર ડાઈઈલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરી દેવામાં આવે છે. જો નવું કેસેસિટન્સ $3C$ હોય તો માધ્યમનો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?